Առկայություն՝ | |
---|---|
Քանակ. | |
MUR1070
WXDH
10A 700V Արագ վերականգնման դիոդ
1 Նկարագրություն
10A, 700V գերարագ դիոդներ Նրանք ունեն ցածր առաջ լարման անկում և հարթ, սիլիցիումի նիտրիդով պասիվացված, իոնային իմպլանտացված, էպիտաքսիալ կառուցվածքով:Այս սարքերը նախատեսված են որպես էներգիայի ղեկային/սեղմող դիոդներ և ուղղիչներ օգտագործելու համար մի շարք անջատիչ սնուցման աղբյուրներում և էներգիայի միացման այլ ծրագրերում:Դրանց ցածր կուտակված լիցքը և գերարագ վերականգնումը փափուկ վերականգնման բնութագրերով նվազագույնի են հասցնում զանգը և էլեկտրական աղմուկը շատ հոսանքի միացման սխեմաներում, այդպիսով նվազեցնելով էներգիայի կորուստը TO-220F անջատիչ տրանզիստորում, ապահովում է 2000V RMS մեկուսացման լարումը բոլոր երեք տերմինալներից մինչև արտաքին ջերմատաքացուցիչ:
2 Հատկանիշներ
Ցածր էներգիայի կորուստ,
բարձր արդյունավետություն Ցածր առաջ լարման,
բարձր հոսանքի հնարավորություն Բարձր ալիքային հզորություն
Սուպեր արագ վերականգնման ժամանակներ
բարձր լարման
3 Դիմումներ
Սնուցման անջատում
Էլեկտրաէներգիայի անջատման սխեմաներ
Ընդհանուր նպատակ
VBR | VF (մեկ) (MAX) | IF (AV) (մեկ) |
700 Վ | 1.6 Վ | 10 Ա |
10A 700V Արագ վերականգնման դիոդ
1 Նկարագրություն
10A, 700V գերարագ դիոդներ Նրանք ունեն ցածր առաջ լարման անկում և հարթ, սիլիցիումի նիտրիդով պասիվացված, իոնային իմպլանտացված, էպիտաքսիալ կառուցվածքով:Այս սարքերը նախատեսված են որպես էներգիայի ղեկային/սեղմող դիոդներ և ուղղիչներ օգտագործելու համար մի շարք անջատիչ սնուցման աղբյուրներում և էներգիայի միացման այլ ծրագրերում:Դրանց ցածր կուտակված լիցքը և գերարագ վերականգնումը փափուկ վերականգնման բնութագրերով նվազագույնի են հասցնում զանգը և էլեկտրական աղմուկը շատ հոսանքի միացման սխեմաներում, այդպիսով նվազեցնելով էներգիայի կորուստը TO-220F անջատիչ տրանզիստորում, ապահովում է 2000V RMS մեկուսացման լարումը բոլոր երեք տերմինալներից մինչև արտաքին ջերմատաքացուցիչ:
2 Հատկանիշներ
Ցածր էներգիայի կորուստ,
բարձր արդյունավետություն Ցածր առաջ լարման,
բարձր հոսանքի հնարավորություն Բարձր ալիքային հզորություն
Սուպեր արագ վերականգնման ժամանակներ
բարձր լարման
3 Դիմումներ
Սնուցման անջատում
Էլեկտրաէներգիայի անջատման սխեմաներ
Ընդհանուր նպատակ
VBR | VF (մեկ) (MAX) | IF (AV) (մեկ) |
700 Վ | 1.6 Վ | 10 Ա |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն հիմնադրվել է 2004 թվականի դեկտեմբերին, որը գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Չժոնգթոնգ Արևելյան ճանապարհի Շուոֆանգի Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:Այն զբաղեցնում է 15000մ2 տարածք։Գրանցված կապիտալը կազմում է 81,5 մլն յուան։Այն ունի տարեկան 500 մլն էլեկտրաէներգիայի հոսքագիծ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է: