ပုံ- 建议图片大小150px*50px 
 |
| ပမာဏ- | |
|---|---|
DCGT10D120G4
WXDH
SiC Schottky Barrier Diode 10A 1200V
1 ဖော်ပြချက် SiC Series ထုတ်ကုန်မိသားစုသည် အနုပညာစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။မြင့်မားသော ထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု လိုအပ်သည့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော အပလီကေးရှင်းများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
⚫ မြင့်မားသောဗို့အား
⚫ Zero Reverse Recovery Current
⚫ Zero Forward Recovery Voltage
⚫ VF တွင် အပြုသဘောဆောင်သော အပူချိန်ဖော်ကိန်း
⚫ 175°C လည်ပတ်လမ်းဆုံအပူချိန်
3 လျှောက်လွှာများ
⚫ ပါဝါပံ့ပိုးမှုမုဒ်ကို ပြောင်းခြင်း။
⚫ Power Factor Correction
⚫ မော်တာမောင်း၊ PV အင်ဗာတာ၊ လေအားလျှပ်စစ်စခန်း
| VBRM | QC | if (TC≤135℃) |
| 1200V | 25nC | 13A |
SiC Schottky Barrier Diode 10A 1200V
1 ဖော်ပြချက် SiC Series ထုတ်ကုန်မိသားစုသည် အနုပညာစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။မြင့်မားသော ထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု လိုအပ်သည့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော အပလီကေးရှင်းများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
⚫ မြင့်မားသောဗို့အား
⚫ Zero Reverse Recovery Current
⚫ Zero Forward Recovery Voltage
⚫ VF တွင် အပြုသဘောဆောင်သော အပူချိန်ဖော်ကိန်း
⚫ 175°C လည်ပတ်လမ်းဆုံအပူချိန်
3 လျှောက်လွှာများ
⚫ ပါဝါပံ့ပိုးမှုမုဒ်ကို ပြောင်းခြင်း။
⚫ Power Factor Correction
⚫ မော်တာမောင်း၊ PV အင်ဗာတာ၊ လေအားလျှပ်စစ်စခန်း
| VBRM | QC | if (TC≤135℃) |
| 1200V | 25nC | 13A |
