Առկայություն՝ | |
---|---|
Քանակ: | |
DCGT10D120G4
WXDH
SiC Schottky Barrier Diode 10A 1200V
1 Նկարագրություն SiC Series ապրանքատեսակների ընտանիքն առաջարկում է նորագույն կատարում:Այն նախատեսված է բարձր հաճախականության ծրագրերի համար, որտեղ պահանջվում է բարձր արդյունավետություն և բարձր հուսալիություն:
2 Հատկանիշներ
⚫ բարձր լարման
⚫ Զրո հակադարձ վերականգնման հոսանք
⚫ Զրոյական առաջ վերականգնման լարում
⚫ Դրական ջերմաստիճանի գործակից VF-ի վրա
⚫ 175°C Գործող հանգույցի ջերմաստիճան
3 Դիմումներ
⚫ Միացման ռեժիմի սնուցման աղբյուրներ
⚫ Հզորության գործոնի շտկում
⚫ Շարժիչային շարժիչ, ՖՎ ինվերտոր, հողմային էլեկտրակայան
VBRM | QC | IF (TC≤135℃) |
1200 Վ | 25nC | 13Ա |
SiC Schottky Barrier Diode 10A 1200V
1 Նկարագրություն SiC Series ապրանքատեսակների ընտանիքն առաջարկում է նորագույն կատարում:Այն նախատեսված է բարձր հաճախականության ծրագրերի համար, որտեղ պահանջվում է բարձր արդյունավետություն և բարձր հուսալիություն:
2 Հատկանիշներ
⚫ բարձր լարման
⚫ Զրո հակադարձ վերականգնման հոսանք
⚫ Զրոյական առաջ վերականգնման լարում
⚫ Դրական ջերմաստիճանի գործակից VF-ի վրա
⚫ 175°C Գործող հանգույցի ջերմաստիճան
3 Դիմումներ
⚫ Միացման ռեժիմի սնուցման աղբյուրներ
⚫ Հզորության գործոնի շտկում
⚫ Շարժիչային շարժիչ, ՖՎ ինվերտոր, հողմային էլեկտրակայան
VBRM | QC | IF (TC≤135℃) |
1200 Վ | 25nC | 13Ա |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն հիմնադրվել է 2004 թվականի դեկտեմբերին, որը գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Չժոնգթոնգ Արևելյան ճանապարհ, Շուոֆանգ, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:Այն զբաղեցնում է 15000մ2 տարածք։Գրանցված կապիտալը կազմում է 81,5 մլն յուան։Այն ունի տարեկան 500 մլն էլեկտրաէներգիայի հոսքագիծ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է: