DCGT10D120G4
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SiC 쇼트키 배리어 다이오드 10A 1200V
1 설명 SiC 시리즈 제품군은 최첨단 성능을 제공합니다.고효율과 높은 신뢰성이 요구되는 고주파 애플리케이션용으로 설계되었습니다.
2 특징
⚫ 고전압
⚫ 역회복 전류 제로
⚫ 제로 순방향 복구 전압
⚫ VF의 양의 온도 계수
⚫ 175°C 작동 접합 온도
3 응용
⚫ 스위칭 모드 전원 공급 장치
⚫ 역률 보정
⚫ 모터 드라이브, PV 인버터, 풍력 발전소
VBRM | 품질관리 | IF(TC≤135℃) |
1200V | 25nC | 13A |
SiC 쇼트키 배리어 다이오드 10A 1200V
1 설명 SiC 시리즈 제품군은 최첨단 성능을 제공합니다.고효율과 높은 신뢰성이 요구되는 고주파 애플리케이션용으로 설계되었습니다.
2 특징
⚫ 고전압
⚫ 역회복 전류 제로
⚫ 제로 순방향 복구 전압
⚫ VF의 양의 온도 계수
⚫ 175°C 작동 접합 온도
3 응용
⚫ 스위칭 모드 전원 공급 장치
⚫ 역률 보정
⚫ 모터 드라이브, PV 인버터, 풍력 발전소
VBRM | 품질관리 | IF(TC≤135℃) |
1200V | 25nC | 13A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.는 2004년 12월에 설립되었으며 장쑤성 무석시 신우구 Shuofang Zhongtong East Road 88번지에 위치하고 있습니다.그것은 15000m2의 면적을 다룹니다.등록 자본금은 8150만 위안입니다.연간 5억 전력 생산라인을 보유하고 있습니다.
장쑤동하이반도체유한회사는 2004년 12월에 설립되었으며 장쑤성 무석시 신우구 슈오팡진 중통동로 88번지에 위치하고 있습니다.면적 15,000평방미터, 등록자본금 8,150만 위안, 하이테크 전공 기업입니다.
장쑤동하이반도체유한회사는 2004년 12월에 설립되었으며 장쑤성 무석시 신우구 슈오팡진 중통동로 88번지에 위치하고 있습니다.면적 15,000평방미터, 등록자본금 8,150만 위안, 하이테크 전공 기업입니다.
장쑤동하이반도체유한회사는 2004년 12월에 설립되었으며 장쑤성 무석시 신우구 슈오팡진 중통동로 88번지에 위치하고 있습니다.면적 15,000평방미터, 등록자본금 8,150만 위안, 하이테크 전공 기업입니다.
장쑤동하이반도체유한회사는 2004년 12월에 설립되었으며 장쑤성 무석시 신우구 슈오팡진 중통동로 88번지에 위치하고 있습니다.면적 15,000평방미터, 등록자본금 8,150만 위안, 하이테크 전공 기업입니다.
장쑤동하이반도체유한회사는 2004년 12월에 설립되었으며 장쑤성 무석시 신우구 슈오팡진 중통동로 88번지에 위치하고 있습니다.면적 15,000평방미터, 등록자본금 8,150만 위안, 하이테크 전공 기업입니다.