Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: itthon » Termékek » DIÓDA » 650V-1200V SIC » SiC Schottky Barrier Dióda 10A 1200V

Betöltés

Megosztani:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

SiC Schottky Barrier Dióda 10A 1200V

SiC Schottky Barrier Dióda 10A 1200V
Elérhetőség:
Mennyiség:
  • DCGT10D120G4

  • WXDH

SiC Schottky Barrier Dióda 10A 1200V


1 Leírás A SiC sorozat termékcsaládja a legkorszerűbb teljesítményt kínálja.Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség. 


2 Jellemzők 

⚫ magas feszültség 

⚫ Nulla fordított helyreállítási áram 

⚫ Nulla előremenő helyreállítási feszültség 

⚫ Pozitív hőmérsékleti együttható a VF-en 

⚫ 175°C üzemi csomóponti hőmérséklet 


3 Alkalmazások 

⚫ Kapcsolóüzemű tápegységek 

⚫ Teljesítménytényező korrekciója 

⚫ Motorhajtás, PV inverter, szélerőmű


VBRM QC  IF (TC≤135℃)
1200V 25nC 13A


Előző: 
Következő: 

Termékkategória

Legfrissebb hírek

  • Iratkozz fel a hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket