Наявність: | |
---|---|
Кількість: | |
MUR8060DCT
WXDH
Діод швидкого відновлення 80A 600V
1 Опис
Надшвидкісні діоди 80 А, 600 В. Вони мають низьке падіння прямої напруги та планарну, пасивовану нітридом кремнію, епітаксіальну конструкцію з іонною імплантацією.Ці пристрої призначені для використання в якості керуючих/затискних діодів енергії та випрямлячів у різноманітних імпульсних джерелах живлення та інших додатках для комутації живлення.Їх низький накопичений заряд і надшвидке відновлення з характеристиками м’якого відновлення мінімізують дзвін і електричний шум у багатьох схемах перемикання живлення, таким чином зменшуючи втрати потужності в перемикаючому транзисторі
2 Особливості
Низькі втрати потужності,
висока ефективність Низька пряма напруга,
здатність до високого струму Висока здатність до перенапруги
Надшвидке відновлення
висока напруга
3 Додатки
Імпульсне джерело живлення
Схеми перемикання живлення
Загальне призначення
VBR | VF (одиночний) (МАКС.) | IF(AV)(одинарний) |
600В | 1,6 В | 40А |
Діод швидкого відновлення 80A 600V
1 Опис
Надшвидкісні діоди 80 А, 600 В. Вони мають низьке падіння прямої напруги та планарну, пасивовану нітридом кремнію, епітаксіальну конструкцію з іонною імплантацією.Ці пристрої призначені для використання в якості керуючих/затискних діодів енергії та випрямлячів у різноманітних імпульсних джерелах живлення та інших додатках для комутації живлення.Їх низький накопичений заряд і надшвидке відновлення з характеристиками м’якого відновлення мінімізують дзвін і електричний шум у багатьох схемах перемикання живлення, таким чином зменшуючи втрати потужності в перемикаючому транзисторі
2 Особливості
Низькі втрати потужності,
висока ефективність Низька пряма напруга,
здатність до високого струму Висока здатність до перенапруги
Надшвидке відновлення
висока напруга
3 Додатки
Імпульсне джерело живлення
Схеми перемикання живлення
Загальне призначення
VBR | VF (одиночний) (МАКС.) | IF(AV)(одинарний) |
600В | 1,6 В | 40А |
Компанія Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. була заснована в грудні 2004 року за адресою: № 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu District, Wuxi city, Province Jiangsu.Він займає площу 15000 м2.Статутний капітал становить 81,5 млн юанів.Він має річну виробничу лінію 500 мільйонів електроенергії
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., яка була заснована в грудні 2004 року, розташована за адресою № 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.З площею 15 000 квадратних метрів і статутним капіталом 81,50 мільйона юанів це високотехнологічне підприємство.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., яка була заснована в грудні 2004 року, розташована за адресою № 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.З площею 15 000 квадратних метрів і статутним капіталом 81,50 мільйона юанів це високотехнологічне підприємство.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., яка була заснована в грудні 2004 року, розташована за адресою № 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.З площею 15 000 квадратних метрів і статутним капіталом 81,50 мільйона юанів це високотехнологічне підприємство.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., яка була заснована в грудні 2004 року, розташована за адресою № 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.З площею 15 000 квадратних метрів і статутним капіталом 81,50 мільйона юанів це високотехнологічне підприємство.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., яка була заснована в грудні 2004 року, розташована за адресою № 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.З площею 15 000 квадратних метрів і статутним капіталом 81,50 мільйона юанів це високотехнологічне підприємство.