Availability: | |
---|---|
Quantity: | |
MUR8060DCT
WXDH
80A 600V Fast recuperatio diode
1 Description
80A, 600V Diodes Ultrafast humiliore deinceps intentione guttam habent et sunt planae, nitrides passivae, ion implantatae, epitaxiales constructiones.Hae machinis usui destinatae sunt sicut navitas gubernandi/clauendi diodes et rectificatores in variis mutandi commeatus et alia potentia mutandi applicationes.Eorum humilitas reposita onera et recuperatio ultrafast cum mollis notis recuperandi minimizat sonum sonum electricam et in multis circuitibus mutandi potentiam, ita minuendo damnum potentiae in commutatione transistoris.
2 Features
Minimum potentia detrimentum;
alta efficientia Minimum deinceps intentione;
Princeps vena facultatem High fluctu capacitatem
Super ieiunium recuperatio temporibus
alta intentione
III Applications
Switching Power Supple
Power Switching Circuits
General Propositum
VBR | VF(single)(MAX) | SI(AV) |
600V | 1.6V | 40A |
80A 600V Fast recuperatio diode
1 Description
80A, 600V Diodes Ultrafast humiliore deinceps intentione guttam habent et sunt planae, nitrides passivae, ion implantatae, epitaxiales constructiones.Hae machinis usui destinatae sunt sicut navitas gubernandi/clauendi diodes et rectificatores in variis mutandi commeatus et alia potentia mutandi applicationes.Eorum humilitas reposita onera et recuperatio ultrafast cum mollis notis recuperandi minimizat sonum sonum electricam et in multis circuitibus mutandi potentiam, ita minuendo damnum potentiae in commutatione transistoris.
2 Features
Minimum potentia detrimentum;
alta efficientia Minimum deinceps intentione;
Princeps vena facultatem High fluctu capacitatem
Super ieiunium recuperatio temporibus
alta intentione
III Applications
Switching Power Supple
Power Switching Circuits
General Propositum
VBR | VF(single)(MAX) | SI(AV) |
600V | 1.6V | 40A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd firmatum in December MMIV, sita ad No. LXXXVIII, Zhongtong Oriente via, Shuofang, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.15000m2 ambitum tegit.Descriptio capitis est 81.5 decies centena Yuan.Productio annua linea 500 decies centena millia de habet
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis