61A 60V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH16N06 TO-220C

61A 60V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran, kendinden hizalı düzlemsel teknoloji tarafından kullanılır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı Geçiş 

● Düşük AÇIK Direnç(Rdson≤23mΩ)

● Düşük Geçit Yükü (Tip: 39.3nC) 

● Düşük Ters Transfer Kapasiteleri (Tip: 90pF) 

● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi

● %100 ΔVDS Testi 

3 Uygulama

● Pil güç kaynağı yönetim devresi

● DC-DC Dönüştürücüler

● UPS güç kaynağı

● Yük anahtarı

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
60V	16mΩ	61A