-50A -60V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH300P06L TO-220C

30A 60V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullanılan bu P-kanalı geliştirilmiş vdmosfet'ler, düşük kapı şarjıyla mükemmel Rdson sağlar. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti 

● Düşük ters transfer kapasitansları

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Taşınabilir ekipman ve pille çalışan sistemler 

● Uyarıcı Uygulaması

VDSS	RDS(açık) (TİP)	İD
-60V	28mΩ	-50A