30A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 คำอธิบาย
vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย P-channel เหล่านี้ใช้เทคโนโลยีและการออกแบบร่องลึกขั้นสูง ให้กับ Rdson ที่ยอดเยี่ยมด้วยประจุเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
2 คุณสมบัติ
● การสลับอย่างรวดเร็ว
● ความต้านทานต่ำ
● ค่าเกตต่ำ
● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%
● การทดสอบ ΔVDS 100%
3 การใช้งาน
● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
● อุปกรณ์พกพาและระบบขับเคลื่อนด้วยแบตเตอรี่
● แอปพลิเคชันแจ้งเตือน
| วีดีเอสเอส |
RDS (บน) (ประเภท) |
บัตรประจำตัวประชาชน |
| -60V |
28mΩ |
-50A |