Г20Т65Д

20А 650В изоловани биполарни транзистор

Општи опис:

Користећи ДонгХаи-ов власнички Тренцх дизајн и напредну ФС технологију, 650В ФС ИГБТ нуди супериорне перформансе проводљивости и пребацивања, високу отпорност на лавину и лак паралелни рад.

Карактеристике:

 ФС Тренцх Тецхнологи, Позитиван температурни коефицијент

 Низак напон засићења: ВЦЕ(сат), тип = 1.9В @ ИЦ =20А и ТЦ = 25°Ц

 Екстремно побољшана способност лемно побољшана способност лавина

Апликације:

Контрола мотора, ПФЦ, УПС…