8A 600V N-kanals forbedringsmodus MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET-er, oppnås av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden.
2 funksjoner
● Rask bytte
● ESD forbedret muligheten
● Lav på motstand (Rdson≤1.2Ω)
● Lav portladning (TYP: 24NC)
● Lav omvendt overføringskapasitans (TYP: 5,5PF)
● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS -test
3 søknader
● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet.
● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter.
VDSS |
Rds (på) (typ) |
Id |
600V |
0,98Ω |
8a |