320A 30V N-kanals forbedringsmodus MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETS brukte avansert grøfteteknologidesign, ga utmerket RDSON og lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden.
2 funksjoner
● Lav på motstand
● Lav portladning
● Rask bytte
● Lav omvendte overføringskapasitanser
● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS -test
3 søknader
● Power Switching -applikasjoner
● Omformersadministrasjonssystem
● Elektriske verktøy
● Automotive Electronics
VDSS |
Rds (på) (typ) |
Id |
30V |
1,5 mΩ |
320a |