320A 30V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DH012N03D TO-252B

320A 30V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse 

Disse N-kanals forstærkningstilstande power-mosfets brugte avanceret trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Hurtigt skift 

● Lave omvendte overførselskapacitanser 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Strømskifteapplikationer 

● Inverter management system 

● Elektrisk værktøj 

● Automobilelektronik

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
30V	1,5 mΩ	320A