ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်
| VDSS |
RDS(ဖွင့်)(TYP) |
အမှတ်သညာ |
| 68V |
6.0mΩ |
100A |
ထုတ်ကုန်လုပ်ဆောင်ချက်များ
ဤ N-channel MOSFET အား တိကျမှုနှင့် ထိရောက်မှုဖြင့် ပါဝါပြောင်းခြင်းကို ကိုင်တွယ်ရန် အင်ဂျင်နီယာချုပ်ထားပါသည်။ အဓိကအင်္ဂါရပ်များပါဝင်သည်-
- Low On-Resistance (RDS(on))) သည် အနည်းငယ်မျှသော အပူများ ပျံ့နှံ့မှုကို သေချာစေပြီး ပါဝါအသုံးပြုမှုတွင် စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။
- Low Gate Charge − DC-DC converters များကဲ့သို့ အမြန်ပြောင်းသည့် ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် စက်ပစ္စည်းကို မြင့်မားစွာ ထိရောက်စွာ အသုံးပြုနိုင်စေရန်အတွက် ကူးပြောင်းခြင်း ဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချပေးပါသည်။
- အမြန်ပြောင်းခြင်း- ဤ MOSFET သည် အမြန်ဖွင့်ခြင်းနှင့် ပိတ်ချိန်များပါရှိသော မြန်နှုန်းမြင့်အက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။
- ကျယ်ပြန့်သောလည်ပတ်မှုအတိုင်းအတာ- တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုကိုထိန်းသိမ်းထားစဉ် မြင့်မားသောဗို့အားနှင့်လျှပ်စီးကြောင်းများကို ကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းရှိသည်။
သက်ဆိုင်သော အခြေအနေများ
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET သည် အောက်ပါတို့တွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်ပါသည်။
- Power Switching Applications- စွမ်းအင်ထိရောက်မှု အရေးကြီးသောနေရာတွင် Power Supply များကို ကူးပြောင်းရာတွင် အသုံးများသည်။
- DC-DC Converters- အီလက်ထရွန်းနစ်ဆားကစ်များရှိ ဗို့အားအဆင့်သို့ပြောင်းလဲရာတွင် မြန်ဆန်စွာတုံ့ပြန်မှုနှင့် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးစေရန် ကူညီပေးသည်။
- Full Bridge Control Circuits- အမျိုးမျိုးသောဝန်များကိုမောင်းနှင်ရန်အတွက် လျင်မြန်သောကူးပြောင်းမှုနှင့် ထိရောက်မှုလိုအပ်သည့် မော်တာထိန်းချုပ်မှုစနစ်များအတွက် ပြီးပြည့်စုံပါသည်။
- မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်းနစ်- ဤ MOSFET ကို မော်တော်ကားပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များတွင် အသုံးပြုနိုင်ပြီး လျှပ်စစ်မော်တော်ကားထိန်းချုပ်ပတ်လမ်းများတွင် ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်နိုင်သည်။
ထုတ်ကုန်အားသာချက်များ
- စွမ်းအင်ထိရောက်မှု- RDS (ဖွင့်ထားသည်) နည်းပါးပြီး ဂိတ်တာဝန်ခံသည် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို သိသာထင်ရှားစွာ လျော့နည်းစေပြီး စွမ်းအင်ထိခိုက်လွယ်သော အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် စံပြဖြစ်စေပါသည်။
- မြင့်မားသောကြာရှည်ခံမှု- အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာနှင့် ပစ္စည်းများနှင့်အတူ၊ ဤ MOSFET သည် ကြမ်းတမ်းသောအခြေအနေများတွင်ပင် ယုံကြည်စိတ်ချရသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး စက်မှုပတ်ဝန်းကျင်တွင် ရေရှည်အသုံးပြုမှုကို သေချာစေသည်။
- ဘက်စုံအသုံးပြုနိုင်မှု- အသေးစားအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် ကြီးမားသောစက်မှုလုပ်ငန်းသုံးပစ္စည်းများတွင်အသုံးပြုသည်ဖြစ်စေ ဤ MOSFET သည် မတူညီသောလိုအပ်ချက်များအတွက် ကောင်းမွန်စွာလိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေပြီး ဓာတ်အားစနစ်များပေါ်တွင်လုပ်ဆောင်နေသောအင်ဂျင်နီယာများအတွက် စွယ်စုံရရွေးချယ်မှုဖြစ်စေသည်။
- RoHS လိုက်နာမှု- ၎င်းသည် MOSFET သည် သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်ပြီး အန္တရာယ်ရှိသောပစ္စည်းများအတွက် စည်းမျဉ်းများကို လိုက်နာပြီး အမျိုးမျိုးသောအပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုရန် ဘေးကင်းစေရန် သေချာစေပါသည်။
ဤ N-channel Enhancement Mode Power MOSFET ကို သင့်ဒီဇိုင်းများတွင် ပါဝါပြောင်းခြင်းအတွက် ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့်၊ အထူးသဖြင့် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များတွင် ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုအပလီကေးရှင်းများတောင်းဆိုမှုအတွက် သာလွန်သောပြောင်းလဲမှုစွမ်းဆောင်ရည်၊ ထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သင်ရရှိနိုင်ပါသည်။
