ရရှိနိုင်: | |
---|---|
အရေအတွက်: | |
Mur2040CT
wxdh
to-220c
400v
20a
အမြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး Diode 20A 400V
1 ဖော်ပြချက်
20A, 400V ultrafast diodes တွင်ရှေ့သို့ voltage drop များရှိပြီး Planar, Silicon Nitride Playar, Ion-implanted, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့်အရောအနှောများကိုပါဝါထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်ပြောင်းသည့် applications အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့ကအနိမ့်ဆုံးပြန်လည်ထူထောင်ရေးကိုလျှော့ချပြီးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျှော့ချပြီး Terminal Transper Things Things-220F မှပြင်ပ hodsink တွင် elation ကိုလျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအင်နိမ့်ကျခြင်း,
မြင့်မားသော forward sourception ဗို့အား,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
စူပါမြန်နှုန်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
မြင့်ဗို့လုပ်ငန်း
3
ပါဝါထောက်ပံ့ရေး switching
ပါဝါ switching circuits
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
400v | 1.4V | 105a |
အမြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး Diode 20A 400V
1 ဖော်ပြချက်
20A, 400V ultrafast diodes တွင်ရှေ့သို့ voltage drop များရှိပြီး Planar, Silicon Nitride Playar, Ion-implanted, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့်အရောအနှောများကိုပါဝါထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်ပြောင်းသည့် applications အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့ကအနိမ့်ဆုံးပြန်လည်ထူထောင်ရေးကိုလျှော့ချပြီးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျှော့ချပြီး Terminal Transper Things Things-220F မှပြင်ပ hodsink တွင် elation ကိုလျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအင်နိမ့်ကျခြင်း,
မြင့်မားသော forward sourception ဗို့အား,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
စူပါမြန်နှုန်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
မြင့်ဗို့လုပ်ငန်း
3
ပါဝါထောက်ပံ့ရေး switching
ပါဝါ switching circuits
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
400v | 1.4V | 105a |