ရရှိနိုင်: | |
---|---|
အရေအတွက်: | |
Murr60FU60FT
wxdh
to-3pf
600VV
60a
600A 600V မြန်မြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
600A, 600V ultrafast diodes များတွင်ရှေ့သို့ voltage drop နှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, implants, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်း, နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့ကအနိမ့်ဆုံးပြန်လည်နာလန်ထူမှုများကိုလျော့နည်းစေပြီးစွမ်းအင် switching circuit များတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျှော့ချခြင်းအားဖြင့် Procking Transper To-3PM မှပြင်ပအပူချိန်များ၌ insulatory voltult ကိုလျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအင်နိမ့်ကျခြင်း,
မြင့်မားသော forward sourception ဗို့အား,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
စူပါမြန်နှုန်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
မြင့်ဗို့လုပ်ငန်း
3
ပါဝါထောက်ပံ့ရေး switching
ပါဝါ switching circuits
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
600VV | 1.7V | 30a |
600A 600V မြန်မြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
600A, 600V ultrafast diodes များတွင်ရှေ့သို့ voltage drop နှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, implants, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်း, နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့ကအနိမ့်ဆုံးပြန်လည်နာလန်ထူမှုများကိုလျော့နည်းစေပြီးစွမ်းအင် switching circuit များတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျှော့ချခြင်းအားဖြင့် Procking Transper To-3PM မှပြင်ပအပူချိန်များ၌ insulatory voltult ကိုလျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအင်နိမ့်ကျခြင်း,
မြင့်မားသော forward sourception ဗို့အား,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
စူပါမြန်နှုန်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
မြင့်ဗို့လုပ်ငန်း
3
ပါဝါထောက်ပံ့ရေး switching
ပါဝါ switching circuits
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
600VV | 1.7V | 30th |