Tilgængelighed: | |
---|---|
Mængde: | |
MUR60FU60FCT
WXDH
TO-3PF
600v
60a
60A 600V Hurtig opsving Diode
1 Beskrivelse
60a, 600V ultrahastede dioder De har et lavt fremadrettet spændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemme dioder og retter i en række forskellige switching -strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren TO-3PF giver isoleringsspænding bedømt til 2000V RMS fra alle tre terminaler til eksterne heatlending.
2 funktioner
Lavt effekttab,
høj effektivitet lav fremadspænding,
Høj strømkapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtig gendannelsestider
Højspænding
3 applikationer
Skift strømforsyning
Strømafbryderkredsløb
Generelt formål
VBR | Vf (single) (max) | Hvis (av) (single) |
600v | 1,7v | 30a |
60A 600V Hurtig opsving Diode
1 Beskrivelse
60a, 600V ultrahastede dioder De har et lavt fremadrettet spændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemme dioder og retter i en række forskellige switching -strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren TO-3PF giver isoleringsspænding bedømt til 2000V RMS fra alle tre terminaler til eksterne heatlending.
2 funktioner
Lavt effekttab,
høj effektivitet lav fremadspænding,
Høj strømkapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtig gendannelsestider
Højspænding
3 applikationer
Skift strømforsyning
Strømafbryderkredsløb
Generelt formål
VBR | Vf (single) (max) | Hvis (av) (single) |
600v | 1,7v | 30a |