61A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
VDMOSFET Dipertingkatkan-N ini Digunakan oleh teknologi satah jajaran sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
2 Ciri
● Penukaran Pantas
● Rintangan HIDUP Rendah (Rdson≤23mΩ)
● Caj Pintu Rendah(Jenis: 39.3nC)
● Kapasitan Pemindahan Songsang Rendah (Jenis: 90pF)
● 100% Ujian Tenaga Avalanche Pulse Tunggal
● 100% ΔUjian VDS
3 Aplikasi
● Litar pengurusan bekalan kuasa bateri
● Penukar DC-DC
● Bekalan kuasa UPS
● Muatkan suis
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 60V |
16mΩ |
61A |