12A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET F12N60 TO-220F

12A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Penerangan

Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS. TO-220F menyediakan voltan penebat yang dinilai pada 2000V RMS dari ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran. Siri TO-220F mematuhi piawaian UL (File Ref: E252906). 

2 ciri

● Pertukaran cepat

● Keupayaan ESD yang lebih baik

● Rendah pada rintangan (RDSON≤0.75Ω) 

● Caj pintu rendah (typ: 40nc) 

● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 10pf) 

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%

● Ujian 100% Δvds 

3 aplikasi

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.