未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nalazite se ovdje: Dom » Proizvodi » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 50A 650V bipolarni tranzistor G50T65D TO-3PN s izoliranom zapornom kapijom

učitavanje

Podijeli na:
facebook gumb za dijeljenje
gumb za dijeljenje na twitteru
gumb za dijeljenje linije
wechat gumb za dijeljenje
linkedin gumb za dijeljenje
pinterest gumb za dijeljenje
gumb za dijeljenje WhatsAppa
podijeli ovaj gumb za dijeljenje

50A 650V bipolarni tranzistor s izoliranom zaštitnom sklopkom G50T65D TO-3PN

Koristeći DongHai vlastiti dizajn Trench i naprednu FS tehnologiju, 650V FS IGBT nudi vrhunske i sklopne performanse, visoku otpornost na lavinu, jednostavan paralelni rad.
Dostupnost:
Količina:
Raspitajte se Dodaj u košaricu

50A 650V bipolarni tranzistor s izoliranim vratima

1 Opis 


Koristeći DongHai vlastiti dizajn Trench i naprednu FS tehnologiju, 650V FS IGBT nudi vrhunske i sklopne performanse, visoku otpornost na lavinu, jednostavan paralelni rad 


2 Značajke 

● FS Trench Technology, pozitivni temperaturni koeficijent 

● Niski napon zasićenja: VCE(sat), typ = 2,0 V @ IC =50A i Tj =25°C 

● Ekstremno poboljšana sposobnost lavine 


3 Prijave 

● Zavarivanje 

● UPS 

● Inverter s tri razine



Vces Vcesat,Tj=25℃ Ic
650V 2,0 V 50A


preuzeti Specifikacija uređaja DHG50T65D (TO-3PN).pdf

Prethodna: 
Sljedeći: 
IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš newsletter
  • pripremite se za budućnost,
    prijavite se za naš bilten kako biste primali ažuriranja izravno u svoju pristiglu poštu
    Pošalji
Autorsko pravo © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com