Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Diode barrière Schottky SiC 6A 650V

Diode barrière Schottky SiC 6A 650V
Disponibilité :
Quantité :
  • DCGT06D65G4/DCD06D65G4

  • WXDH

Diode barrière Schottky SiC 6A 650V


1 Descriptif 

La famille de produits de la série SiC offre des performances de pointe.Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis. 


2 Caractéristiques 

⚫ haute tension 

⚫ Courant de récupération inverse nul 

⚫ Tension de récupération zéro 

⚫ Coefficient de température positif sur VF 

⚫ Température de jonction de fonctionnement de 175 °C 


3 candidatures 

⚫ Alimentations à découpage 

⚫ Correction du facteur de puissance 

⚫ Entraînement moteur, onduleur photovoltaïque, centrale éolienne


VBRM QC  SI (TC≤135℃)
650V 21nC 14A


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