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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Mode d'amélioration du canal N 68V 68V Power MOSFET DH60N06 à-220C

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
Disponibilité:
quantité:

Mode d'amélioration du canal N 60a 60a MOSFET


1 Description 


Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques

● Faible de résistance 

● Charge de porte basse 

● Commutation rapide 

● Capacités de transfert inverse faibles

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 

● Test à 100% ΔVDS 


3 applications 

● Applications de commutation d'alimentation 

● Convertisseurs DC-DC 

● Contrôle complet du pont


Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
60V 10,3mΩ 60A


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