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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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600a 600v Diode de récupération rapide Mur6060bct Mur6060bct à 247

Diodes ultra-détruites 60A, 600 V, ils ont une baisse de tension vers l'avant et sont de la construction épitaxiale planaire, du nitrure de silicium passivé, implantée par ion.
Disponibilité:
quantité:

Diode de récupération rapide 60A 600V


1 Description 60a, 600 V Diodes ultra-détruites Ils ont une baisse de tension avant faible et sont de construction épitaxiale planaire, nitrure de silicium passivé, implantée par ion. Ces dispositifs sont destinés à être utilisés comme diodes et redresseurs de direction et de serrage énergétiques dans une variété de fournitures d'alimentation de commutation et d'autres applications de commutation d'alimentation. Leur charge bas stockée et leur récupération ultra-rapide avec des caractéristiques de récupération douce minimise la sonnerie et le bruit électrique dans de nombreux circuits de commutation d'alimentation, réduisant ainsi la perte de puissance dans le transistor de commutation 


2 caractéristiques 

 Faible perte de puissance, 

 Tension avant vers l'avant à haute efficacité, 

 Capacité de courant élevée Capacité de surtension élevée 

 Temps de récupération super rapide 

 haute tension 


3 applications 

 Alimentation de commutation 

 Circuits de commutation d'alimentation 

 But général

Vbr VF (simple) (max) If (av) (célibataire)
600 V 2.0 V 30A



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