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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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10A 45V SCHOTTKY BARRIER DIODE MBRF1045CT TO-220F

Ce redresseur de Schottky de TAP central a été optimisé pour une faible fuite inverse à haute température. La technologie de barrière propriétaire permet un fonctionnement fiable jusqu'à 150 ℃ la température de la jonction.
Disponibilité:
quantité:

Diode de barrière schottky 10A 45V


1 Description

Ce redresseur de Schottky de TAP central a été optimisé pour une faible fuite inverse à haute température. La technologie de barrière propriétaire permet un fonctionnement fiable jusqu'à 150 ℃ la température de la jonction. TO-220F fournit une tension d'isolation évaluée à 2000V RMS des trois bornes au dissipateur thermique externe. 


2 caractéristiques 

  •  Capacité de température à jonction élevée 

  •  Courant de fuite 

  •  Faible résistance thermique 

  •  Opération haute fréquence 


3 applications

  •  convertisseurs 

  •  Diodes à roues libres 

  •  Protection inversée de la batterie


  • Les applications typiques sont en puissance de commutation



VCES RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
45v 0,65mΩ 5A


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