100a 30V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DH012N03P DFN5 * 6

100a 30V Mode d'amélioration du canal N MOSFET

1 Description 

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 

2 caractéristiques 

● Faible de résistance 

● Charge de porte basse 

● Commutation rapide 

● Capacités de transfert inverse faibles 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 

● Test à 100% ΔVDS 

3 applications 

● Applications de commutation d'alimentation 

● Système de gestion de l'onduleur 

● outils électriques 

● Electronique automobile