20A 500V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 20N50B TO-247

20A 500V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need räni N-kanaliga täiustatud vdmosfetid on saadud isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused 

● Kiire ümberlülitamine 

● Madal takistus (Rdson≤0,3Ω) 

● Värava madal laetus (tüüp: 52nC) 

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 16pF)

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test 

3 Rakendused

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.

● Adapteri ja laadija toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
500V	0,24Ω	20A