Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B

Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 110A 100V

1 περιγραφή

Αυτές οι λειτουργίες βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησαν προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχαν εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης 

● Υψηλό ρεύμα χιονοστιβάδας 

● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS 

3 αιτήσεις 

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS 

● Σκληρό διακόπτη και κύκλωμα υψηλής ταχύτητας

● Λειτουργικά εργαλεία 

● UPS 

● Έλεγχος κινητήρα