πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » MOSFET » 400V-1500V N MOS » Διπολικό τρανζίστορ G50T65D TO-3PN 50A 650V Trenchstop Insulated

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

Διπολικό τρανζίστορ G50T65D TO-3PN με μόνωση 50A 650V Trenchstop

Χρησιμοποιώντας τον ιδιόκτητο σχεδιασμό Trench της DongHai και την προηγμένη τεχνολογία FS, το 650V FS IGBT προσφέρει ανώτερες επιδόσεις και εναλλαγή, υψηλή στιβαρότητα χιονοστιβάδας εύκολη παράλληλη λειτουργία
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • G50T65D

  • WXDH

  • TO-3PN

  • G50T65D 技术规格书.pdf

  • 650V

  • 50Α

Διπολικό τρανζίστορ 50A 650V Trenchstop Insulated Gate

1 Περιγραφή 


Χρησιμοποιώντας την αποκλειστική σχεδίαση Trench της DongHai και την προηγμένη τεχνολογία FS, το 650V FS IGBT προσφέρει ανώτερες επιδόσεις και εναλλασσόμενες επιδόσεις, υψηλή στιβαρότητα χιονοστιβάδας εύκολη παράλληλη λειτουργία 


2 Χαρακτηριστικά 

● Τεχνολογία FS Trench, Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας 

● Χαμηλή τάση κορεσμού: VCE(sat), typ = 2,0V @ IC =50A και Tj =25°C 

● Εξαιρετικά βελτιωμένη ικανότητα χιονοστιβάδας 


3 Εφαρμογές 

● Συγκόλληση 

● UPS 

● Μετατροπέας τριών επιπέδων



Vces Vcesat,Tj=25℃ Ic
650V 2,0V 50Α


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας