120A 40V N-channel lepancement mode Power MOSFET DHS021N04D TO-252B

120A 40V N-Channel MODENCE MOSFET

1 περιγραφή 

Αυτές οι λειτουργίες βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησαν προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχαν εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά 

● Χαμηλή αντίσταση

● Χαμηλή φόρτιση πύλης 

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS

3 αιτήσεις 

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS 

● Σκληρό διακόπτη και κύκλωμα υψηλής ταχύτητας 

● Λειτουργικά εργαλεία

● UPS 

● Έλεγχος κινητήρα