Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 120A 40 V Power MOSFET DHS021N04D TO-252B

120A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή 

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά 

● Χαμηλή αντίσταση

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%.

3 Εφαρμογές 

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS 

● Κύκλωμα σκληρής μεταγωγής και υψηλής ταχύτητας 

● Ηλεκτρικά εργαλεία

● UPS 

● Έλεγχος κινητήρα

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα
40V	2mΩ	120Α