گیٹ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
آپ یہاں ہیں: گھر » مصنوعات » MOSFET » 12V-300V N MOS » 120A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04D TO-252B

لوڈ ہو رہا ہے

اس کے ساتھ اشتراک کریں:
فیس بک شیئرنگ بٹن
ٹویٹر شیئرنگ بٹن
لائن شیئرنگ بٹن
وی چیٹ شیئرنگ بٹن
لنکڈ شیئرنگ بٹن
پنٹیرسٹ شیئرنگ بٹن
واٹس ایپ شیئرنگ بٹن
اس شیئرنگ بٹن کو شیئر کریں۔

120A 40V N-چینل انہانسمنٹ موڈ پاور MOSFET DHS021N04D TO-252B

ان N-چینل انہانسمنٹ موڈ پاور ماسفیٹ نے جدید اسپلائٹ گیٹ ٹرینچ ٹیکنالوجی ڈیزائن کا استعمال کیا، بہترین Rdson اور کم گیٹ چارج فراہم کیا۔ جو RoHS معیار کے مطابق ہے۔
دستیابی:
مقدار:

120A 40V N-چینل انہانسمنٹ موڈ پاور MOSFET


1 تفصیل 

ان N-چینل انہانسمنٹ موڈ پاور ماسفیٹ نے جدید اسپلائٹ گیٹ ٹرینچ ٹیکنالوجی ڈیزائن کا استعمال کیا، بہترین Rdson اور کم گیٹ چارج فراہم کیا۔ جو RoHS معیار کے مطابق ہے۔ 


2 خصوصیات 

● کم مزاحمت

● کم گیٹ چارج 

● تیز سوئچنگ 

● کم ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس

● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ 

● 100% ΔVDS ٹیسٹ


3 درخواستیں 

● SMPS میں ہم وقت ساز اصلاح 

● ہارڈ سوئچنگ اور تیز رفتار سرکٹ 

● پاور ٹولز

● UPS 

● موٹر کنٹرول


وی ڈی ایس ایس RDS(آن)(TYP) ID
40V 2mΩ 120A


پچھلا: 
اگلا: 
  • ہمارے نیوز لیٹر کے لیے سائن اپ کریں۔
  • مستقبل کے لیے ہمارے نیوز لیٹر کے لیے سائن اپ کریں۔
    براہ راست اپنے ان باکس میں اپ ڈیٹس حاصل کرنے کے لیے