注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Antall: | |
|---|---|
Beskrivelse
Disse bipolare isolerte gatetransistorene brukte avansert grøfte- og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCEsat og svitsjhastighet, lav portlading.Som samsvarer med RoHS-standarden.
Egenskaper
ROUM Field Stop Trench IGBT-er tilbyr lave svitsjetap, høy energieffektivitet og kortslutningsrobusthet.
Den er designet for bruksområder som motorstyring, uavbrutt strømforsyning (UPS), generelle omformere.
● Lav portlading
● Utmerket byttehastighet
● Enkel parallelliseringsevne på grunn av positiv temperatur
● Koeffisient i VCEsat
● Tsc≥10μs
● Rask gjenoppretting av fullstrøm antiparallell diode
● Lav VCEsat
applikasjoner
● Sveising
● UPS
● Tre-trinns omformer
● AC og DC servodrivforsterker
Beskrivelse
Disse bipolare isolerte gatetransistorene brukte avansert grøfte- og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCEsat og svitsjhastighet, lav portlading.Som samsvarer med RoHS-standarden.
Egenskaper
ROUM Field Stop Trench IGBT-er tilbyr lave svitsjetap, høy energieffektivitet og kortslutningsrobusthet.
Den er designet for bruksområder som motorstyring, uavbrutt strømforsyning (UPS), generelle omformere.
● Lav portlading
● Utmerket byttehastighet
● Enkel parallelliseringsevne på grunn av positiv temperatur
● Koeffisient i VCEsat
● Tsc≥10μs
● Rask gjenoppretting av fullstrøm antiparallell diode
● Lav VCEsat
applikasjoner
● Sveising
● UPS
● Tre-trinns omformer
● AC og DC servodrivforsterker
