Nom : 建议图片大小150px*50px 
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Description
Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Caractéristiques
Les IGBT à tranchée d'arrêt de champ ROUM offrent de faibles pertes de commutation, une efficacité énergétique élevée et une robustesse contre les courts-circuits.
Il est conçu pour des applications telles que le contrôle de moteur, les alimentations sans interruption (UPS), les onduleurs généraux.
● Faible charge de porte
● Excellente vitesse de commutation
● Capacité de mise en parallèle facile grâce à une température positive
● Coefficient dans VCEsat
● Tsc≥10μs
● Diode antiparallèle à courant complet à récupération rapide
● Faible VCEsat
Applications
● Soudage
● UPS
● Onduleur à trois niveaux
● Amplificateur de servomoteur AC et DC
Description
Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Caractéristiques
Les IGBT à tranchée d'arrêt de champ ROUM offrent de faibles pertes de commutation, une efficacité énergétique élevée et une robustesse contre les courts-circuits.
Il est conçu pour des applications telles que le contrôle de moteur, les alimentations sans interruption (UPS), les onduleurs généraux.
● Faible charge de porte
● Excellente vitesse de commutation
● Capacité de mise en parallèle facile grâce à une température positive
● Coefficient dans VCEsat
● Tsc≥10μs
● Diode antiparallèle à courant complet à récupération rapide
● Faible VCEsat
Applications
● Soudage
● UPS
● Onduleur à trois niveaux
● Amplificateur de servomoteur AC et DC
