ရရှိနိုင်မှု- | |
---|---|
အရေအတွက်- | |
ဖော်ပြချက်
ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော VCEsat နှင့် switching speed ၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ်များ
ROUM Field Stop Trench IGBTs များသည် ကူးပြောင်းခြင်း ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း၊ စွမ်းအင်ထိရောက်မှု မြင့်မားခြင်းနှင့် ဝါယာရှော့ဖြစ်ပြီး ကြမ်းတမ်းခြင်းတို့ကို ပေးဆောင်သည်။
၎င်းကို မော်တာထိန်းချုပ်မှု၊ အနှောက်အယှက်ကင်းသော ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ (UPS)၊ အထွေထွေ အင်ဗာတာများကဲ့သို့သော အက်ပ်များအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။
● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ
● အထူးကောင်းမွန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်း
● အပြုသဘောဆောင်သော အပူချိန်ကြောင့် အလွယ်တကူ အပြိုင်ဆွဲနိုင်မှု
● VCEsat တွင် Coefficient
● Tsc≥10μs
● လျင်မြန်စွာ ပြန်လည်ရယူခြင်း အပြည့်အဝ လက်ရှိဆန့်ကျင်သည့် အပြိုင်ဒိုင်အိုဒ
● VCEsat နိမ့်သည်။
လျှောက်လွှာများ
● ဂဟေဆော်ခြင်း။
● UPS
● သုံးအဆင့် အင်ဗာတာ
● AC နှင့် DC servo drive အသံချဲ့စက်
ဖော်ပြချက်
ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော VCEsat နှင့် switching speed ၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ်များ
ROUM Field Stop Trench IGBTs များသည် ကူးပြောင်းခြင်း ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း၊ စွမ်းအင်ထိရောက်မှု မြင့်မားခြင်းနှင့် ဝါယာရှော့ဖြစ်ပြီး ကြမ်းတမ်းခြင်းတို့ကို ပေးဆောင်သည်။
၎င်းကို မော်တာထိန်းချုပ်မှု၊ အနှောက်အယှက်ကင်းသော ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ (UPS)၊ အထွေထွေ အင်ဗာတာများကဲ့သို့သော အက်ပ်များအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။
● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ
● အထူးကောင်းမွန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်း
● အပြုသဘောဆောင်သော အပူချိန်ကြောင့် အလွယ်တကူ အပြိုင်ဆွဲနိုင်မှု
● VCEsat တွင် Coefficient
● Tsc≥10μs
● လျင်မြန်စွာ ပြန်လည်ရယူခြင်း အပြည့်အဝ လက်ရှိဆန့်ကျင်သည့် အပြိုင်ဒိုင်အိုဒ
● VCEsat နိမ့်သည်။
လျှောက်လွှာများ
● ဂဟေဆော်ခြင်း။
● UPS
● သုံးအဆင့် အင်ဗာတာ
● AC နှင့် DC servo drive အသံချဲ့စက်
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. ကို အမှတ် 88၊ Zhongtong အရှေ့လမ်း၊ Shuofang၊ Xinwu ခရိုင်၊ Wuxi မြို့၊ Jiangsu ပြည်နယ်တွင် 2004 ခုနှစ် ဒီဇင်ဘာလတွင် တည်ထောင်ခဲ့ပါသည်။ဧရိယာ 15000m2 လွှမ်းခြုံထားသည်။စာရင်းသွင်းမတည်ငွေမှာ ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅ သန်းဖြစ်သည်။၎င်းတွင် နှစ်စဉ် ဓာတ်အား သန်း 500 ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းရှိသည်။
ဒီဇင်ဘာလ 2004 ခုနှစ်တွင်တည်ထောင်ခဲ့သော Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. သည် အမှတ် 88၊ East Zhongtong Road၊ Shuofang Town၊ Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province တွင် တည်ရှိသည်။ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၅၀၀၀ နှင့် မှတ်ပုံတင်ထားသော အရင်းအနှီး ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅၀ သန်းဖြင့် ၎င်းသည် နည်းပညာမြင့် လုပ်ငန်းကြီးများ၊
ဒီဇင်ဘာလ 2004 ခုနှစ်တွင်တည်ထောင်ခဲ့သော Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. သည် အမှတ် 88၊ East Zhongtong Road၊ Shuofang Town၊ Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province တွင် တည်ရှိသည်။ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၅၀၀၀ နှင့် မှတ်ပုံတင်ထားသော အရင်းအနှီး ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅၀ သန်းဖြင့် ၎င်းသည် နည်းပညာမြင့် လုပ်ငန်းကြီးများ၊
ဒီဇင်ဘာလ 2004 ခုနှစ်တွင်တည်ထောင်ခဲ့သော Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. သည် အမှတ် 88၊ East Zhongtong Road၊ Shuofang Town၊ Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province တွင် တည်ရှိသည်။ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၅၀၀၀ နှင့် မှတ်ပုံတင်ထားသော အရင်းအနှီး ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅၀ သန်းဖြင့် ၎င်းသည် နည်းပညာမြင့် လုပ်ငန်းကြီးများ၊
ဒီဇင်ဘာလ 2004 ခုနှစ်တွင်တည်ထောင်ခဲ့သော Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. သည် အမှတ် 88၊ East Zhongtong Road၊ Shuofang Town၊ Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province တွင် တည်ရှိသည်။ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၅၀၀၀ နှင့် မှတ်ပုံတင်ထားသော အရင်းအနှီး ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅၀ သန်းဖြင့် ၎င်းသည် နည်းပညာမြင့် လုပ်ငန်းကြီးများ၊
ဒီဇင်ဘာလ 2004 ခုနှစ်တွင်တည်ထောင်ခဲ့သော Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. သည် အမှတ် 88၊ East Zhongtong Road၊ Shuofang Town၊ Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province တွင် တည်ရှိသည်။ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၅၀၀၀ နှင့် မှတ်ပုံတင်ထားသော အရင်းအနှီး ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅၀ သန်းဖြင့် ၎င်းသည် နည်းပညာမြင့် လုပ်ငန်းကြီးများ၊