ရရှိနိုင်မှု- | |
---|---|
အရေအတွက်- | |
MUR30120
WXDH
30A 1200V အမြန်ပြန်လည်ရယူရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
30A၊ 1200V Ultrafast Diodes ၎င်းတို့တွင် ရှေ့သို့ ဗို့အားကျဆင်းမှု နည်းပါးပြီး အသွားအလာ၊ ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် passivated၊ ion-implanted၊ epitaxial တည်ဆောက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ဤစက်ပစ္စည်းများကို switching power supply နှင့် အခြားသော power switching applications အမျိုးမျိုးတွင် စွမ်းအင်စတီယာရင်/ကလစ်ဆွဲထားသော ဒိုင်အိုဒက်များနှင့် rectififier များအဖြစ် အသုံးပြုရန်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။၎င်းတို့၏ သိမ်းဆည်းထားသော အားသွင်းမှု နည်းပါးခြင်းနှင့် အလွန်လျင်မြန်သော ပြန်လည်ရယူခြင်းသည် ပျော့ပျောင်းသော ပြန်လည်ရယူခြင်း လက္ခဏာများနှင့်အတူ ပါဝါပြောင်းသည့် ဆားကစ်များစွာတွင် အသံမြည်ခြင်းနှင့် လျှပ်စစ်ဆူညံသံများကို လျှော့ချပေးသည့်အတွက် switching transistor တွင် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
ဓာတ်အားလျော့နည်းခြင်း၊
high efficiency Low forward voltage၊
high current capability မြင့်မားသော surge capacity
အလွန်လျင်မြန်သော ပြန်လည်ရယူချိန်များ
မြင့်မားသောဗို့အား
3 လျှောက်လွှာများ
Power Supply ပြောင်းခြင်း။
Power Switching Circuits များ
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF(တစ်ခုတည်း)(MAX) | IF(AV)(တစ်ခုတည်း) |
1200V | 3.5V | 30A |
30A 1200V အမြန်ပြန်လည်ရယူရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
30A၊ 1200V Ultrafast Diodes ၎င်းတို့တွင် ရှေ့သို့ ဗို့အားကျဆင်းမှု နည်းပါးပြီး အသွားအလာ၊ ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် passivated၊ ion-implanted၊ epitaxial တည်ဆောက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ဤစက်ပစ္စည်းများကို switching power supply နှင့် အခြားသော power switching applications အမျိုးမျိုးတွင် စွမ်းအင်စတီယာရင်/ကလစ်ဆွဲထားသော ဒိုင်အိုဒက်များနှင့် rectififier များအဖြစ် အသုံးပြုရန်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။၎င်းတို့၏ သိမ်းဆည်းထားသော အားသွင်းမှု နည်းပါးခြင်းနှင့် အလွန်လျင်မြန်သော ပြန်လည်ရယူခြင်းသည် ပျော့ပျောင်းသော ပြန်လည်ရယူခြင်း လက္ခဏာများနှင့်အတူ ပါဝါပြောင်းသည့် ဆားကစ်များစွာတွင် အသံမြည်ခြင်းနှင့် လျှပ်စစ်ဆူညံသံများကို လျှော့ချပေးသည့်အတွက် switching transistor တွင် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
ဓာတ်အားလျော့နည်းခြင်း၊
high efficiency Low forward voltage၊
high current capability မြင့်မားသော surge capacity
အလွန်လျင်မြန်သော ပြန်လည်ရယူချိန်များ
မြင့်မားသောဗို့အား
3 လျှောက်လွှာများ
Power Supply ပြောင်းခြင်း။
Power Switching Circuits များ
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF(တစ်ခုတည်း)(MAX) | IF(AV)(တစ်ခုတည်း) |
1200V | 3.5V | 30A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. ကို အမှတ် 88၊ Zhongtong အရှေ့လမ်း၊ Shuofang၊ Xinwu ခရိုင်၊ Wuxi မြို့၊ Jiangsu ပြည်နယ်တွင် 2004 ခုနှစ် ဒီဇင်ဘာလတွင် တည်ထောင်ခဲ့ပါသည်။ဧရိယာ 15000m2 လွှမ်းခြုံထားသည်။စာရင်းသွင်းမတည်ငွေမှာ ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅ သန်းဖြစ်သည်။၎င်းတွင် နှစ်စဉ် ဓာတ်အား သန်း 500 ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းရှိသည်။
ဒီဇင်ဘာလ 2004 ခုနှစ်တွင်တည်ထောင်ခဲ့သော Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. သည် အမှတ် 88၊ East Zhongtong Road၊ Shuofang Town၊ Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province တွင် တည်ရှိသည်။ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၅၀၀၀ နှင့် မှတ်ပုံတင်ထားသော အရင်းအနှီး ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅၀ သန်းဖြင့် ၎င်းသည် နည်းပညာမြင့် လုပ်ငန်းကြီးများ၊
ဒီဇင်ဘာလ 2004 ခုနှစ်တွင်တည်ထောင်ခဲ့သော Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. သည် အမှတ် 88၊ East Zhongtong Road၊ Shuofang Town၊ Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province တွင် တည်ရှိသည်။ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၅၀၀၀ နှင့် မှတ်ပုံတင်ထားသော အရင်းအနှီး ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅၀ သန်းဖြင့် ၎င်းသည် နည်းပညာမြင့် လုပ်ငန်းကြီးများ၊
ဒီဇင်ဘာလ 2004 ခုနှစ်တွင်တည်ထောင်ခဲ့သော Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. သည် အမှတ် 88၊ East Zhongtong Road၊ Shuofang Town၊ Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province တွင် တည်ရှိသည်။ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၅၀၀၀ နှင့် မှတ်ပုံတင်ထားသော အရင်းအနှီး ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅၀ သန်းဖြင့် ၎င်းသည် နည်းပညာမြင့် လုပ်ငန်းကြီးများ၊
ဒီဇင်ဘာလ 2004 ခုနှစ်တွင်တည်ထောင်ခဲ့သော Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. သည် အမှတ် 88၊ East Zhongtong Road၊ Shuofang Town၊ Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province တွင် တည်ရှိသည်။ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၅၀၀၀ နှင့် မှတ်ပုံတင်ထားသော အရင်းအနှီး ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅၀ သန်းဖြင့် ၎င်းသည် နည်းပညာမြင့် လုပ်ငန်းကြီးများ၊
ဒီဇင်ဘာလ 2004 ခုနှစ်တွင်တည်ထောင်ခဲ့သော Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. သည် အမှတ် 88၊ East Zhongtong Road၊ Shuofang Town၊ Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province တွင် တည်ရှိသည်။ဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၁၅၀၀၀ နှင့် မှတ်ပုံတင်ထားသော အရင်းအနှီး ယွမ် ၈၁ ဒသမ ၅၀ သန်းဖြင့် ၎င်းသည် နည်းပညာမြင့် လုပ်ငန်းကြီးများ၊