Größe: 150 x 50 Pixel 
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| Menge: | |
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MUR30120
WXDH
30A 1200V Diode mit schneller Wiederherstellung
1 Beschreibung
Ultraschnelle Dioden mit 30 A und 1200 V. Sie weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf und bestehen aus einer planaren, mit Siliziumnitrid passivierten, ionenimplantierten Epitaxiekonstruktion.Diese Geräte sind für den Einsatz als Energiesteuerungs-/Klemmdioden und Gleichrichter in einer Vielzahl von Schaltnetzteilen und anderen Leistungsschaltanwendungen vorgesehen.Ihre geringe gespeicherte Ladung und die ultraschnelle Wiederherstellung mit Soft-Recovery-Eigenschaften minimieren Überschwingungen und elektrisches Rauschen in vielen Leistungsschaltkreisen und reduzieren so den Leistungsverlust im Schalttransistor
2 Funktionen
Geringe Verlustleistung,
hoher Wirkungsgrad, niedrige Durchlassspannung,
hohe Strombelastbarkeit. Hohe Stoßleistung
Superschnelle Erholungszeiten
Hochspannung
3 Anwendungen
Schaltnetzteil
Stromschaltkreise
Allgemeiner Zweck
| VBR | VF(einzeln)(MAX) | IF(AV)(einzeln) |
| 1200V | 3,5V | 30A |
30A 1200V Diode mit schneller Wiederherstellung
1 Beschreibung
Ultraschnelle Dioden mit 30 A und 1200 V. Sie weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf und bestehen aus einer planaren, mit Siliziumnitrid passivierten, ionenimplantierten Epitaxiekonstruktion.Diese Geräte sind für den Einsatz als Energiesteuerungs-/Klemmdioden und Gleichrichter in einer Vielzahl von Schaltnetzteilen und anderen Leistungsschaltanwendungen vorgesehen.Ihre geringe gespeicherte Ladung und die ultraschnelle Wiederherstellung mit Soft-Recovery-Eigenschaften minimieren Überschwingungen und elektrisches Rauschen in vielen Leistungsschaltkreisen und reduzieren so den Leistungsverlust im Schalttransistor
2 Funktionen
Geringe Verlustleistung,
hoher Wirkungsgrad, niedrige Durchlassspannung,
hohe Strombelastbarkeit. Hohe Stoßleistung
Superschnelle Erholungszeiten
Hochspannung
3 Anwendungen
Schaltnetzteil
Stromschaltkreise
Allgemeiner Zweck
| VBR | VF(einzeln)(MAX) | IF(AV)(einzeln) |
| 1200V | 3,5V | 30A |
