Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
MUR30120
WXDH
30A 1200V δίοδος γρήγορης ανάκτησης
1 Περιγραφή
30A, 1200V Ultrafast Diodes Έχουν χαμηλή πτώση τάσης προς τα εμπρός και είναι επίπεδης, παθητικοποιημένης με νιτρίδιο πυριτίου, εμφυτευμένη με ιόντα, επιταξιακή κατασκευή.Αυτές οι συσκευές προορίζονται για χρήση ως διόδους ενεργειακής διεύθυνσης/σύσφιξης και ανορθωτές σε μια ποικιλία τροφοδοτικών μεταγωγής και άλλες εφαρμογές μεταγωγής ισχύος.Η χαμηλή αποθηκευμένη φόρτιση και η εξαιρετικά γρήγορη ανάκτησή τους με χαρακτηριστικά μαλακής ανάκτησης ελαχιστοποιούν το κουδούνισμα και τον ηλεκτρικό θόρυβο σε πολλά κυκλώματα μεταγωγής ισχύος, μειώνοντας έτσι την απώλεια ισχύος στο τρανζίστορ μεταγωγής
2 Χαρακτηριστικά
Χαμηλή απώλεια ισχύος,
υψηλή απόδοση Χαμηλή προς τα εμπρός τάση,
ικανότητα υψηλού ρεύματος Υψηλή ικανότητα υπέρτασης
Σούπερ γρήγοροι χρόνοι αποκατάστασης
υψηλής τάσης
3 Εφαρμογές
Εναλλαγή τροφοδοτικού
Κυκλώματα μεταγωγής ισχύος
Γενικού σκοπού
VBR | VF(μονό)(MAX) | IF(AV)(μονό) |
1200V | 3,5V | 30Α |
30A 1200V δίοδος γρήγορης ανάκτησης
1 Περιγραφή
30A, 1200V Ultrafast Diodes Έχουν χαμηλή πτώση τάσης προς τα εμπρός και είναι επίπεδης, παθητικοποιημένης με νιτρίδιο πυριτίου, εμφυτευμένη με ιόντα, επιταξιακή κατασκευή.Αυτές οι συσκευές προορίζονται για χρήση ως διόδους ενεργειακής διεύθυνσης/σύσφιξης και ανορθωτές σε μια ποικιλία τροφοδοτικών μεταγωγής και άλλες εφαρμογές μεταγωγής ισχύος.Η χαμηλή αποθηκευμένη φόρτιση και η εξαιρετικά γρήγορη ανάκτησή τους με χαρακτηριστικά μαλακής ανάκτησης ελαχιστοποιούν το κουδούνισμα και τον ηλεκτρικό θόρυβο σε πολλά κυκλώματα μεταγωγής ισχύος, μειώνοντας έτσι την απώλεια ισχύος στο τρανζίστορ μεταγωγής
2 Χαρακτηριστικά
Χαμηλή απώλεια ισχύος,
υψηλή απόδοση Χαμηλή προς τα εμπρός τάση,
ικανότητα υψηλού ρεύματος Υψηλή ικανότητα υπέρτασης
Σούπερ γρήγοροι χρόνοι αποκατάστασης
υψηλής τάσης
3 Εφαρμογές
Εναλλαγή τροφοδοτικού
Κυκλώματα μεταγωγής ισχύος
Γενικού σκοπού
VBR | VF(μονό)(MAX) | IF(AV)(μονό) |
1200V | 3,5V | 30Α |
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004 και βρίσκεται στον αριθμό 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu District, πόλη Wuxi, επαρχία Jiangsu.Καλύπτει έκταση 15000m2.Το εγγεγραμμένο κεφάλαιο είναι 81,5 εκατομμύρια γιουάν.Διαθέτει ετήσια γραμμή παραγωγής 500 εκατομμυρίων ηλεκτρικού ρεύματος
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., η οποία ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004, βρίσκεται στον αριθμό 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, επαρχία Jiangsu.Με έκταση 15.000 τετραγωνικών μέτρων και εγγεγραμμένο κεφάλαιο 81,50 εκατομμυρίων γιουάν, είναι μια μεγάλη επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., η οποία ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004, βρίσκεται στον αριθμό 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, επαρχία Jiangsu.Με έκταση 15.000 τετραγωνικών μέτρων και εγγεγραμμένο κεφάλαιο 81,50 εκατομμυρίων γιουάν, είναι μια μεγάλη επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., η οποία ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004, βρίσκεται στον αριθμό 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, επαρχία Jiangsu.Με έκταση 15.000 τετραγωνικών μέτρων και εγγεγραμμένο κεφάλαιο 81,50 εκατομμυρίων γιουάν, είναι μια μεγάλη επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., η οποία ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004, βρίσκεται στον αριθμό 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, επαρχία Jiangsu.Με έκταση 15.000 τετραγωνικών μέτρων και εγγεγραμμένο κεφάλαιο 81,50 εκατομμυρίων γιουάν, είναι μια μεγάλη επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας
Η Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., η οποία ιδρύθηκε τον Δεκέμβριο του 2004, βρίσκεται στον αριθμό 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, επαρχία Jiangsu.Με έκταση 15.000 τετραγωνικών μέτρων και εγγεγραμμένο κεφάλαιο 81,50 εκατομμυρίων γιουάν, είναι μια μεγάλη επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας