Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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G50T65D

Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga, facile funzionamento in parallelo
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Descrizione

Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga e facile funzionamento in parallelo.

Caratteristiche

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo

● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 2,0 V @ IC =50 A e Tj =25°C

● Capacità valanghe estremamente migliorata

Applicazioni

● Saldatura

●UPS

● Invertitore a tre livelli


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