Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: itthon » Termékek » IGBT » 600V-650V » G50T65D

Betöltés

Megosztani:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

G50T65D

A DongHai szabadalmaztatott Trench tervezésének és a fejlett FS technológiának köszönhetően a 650 V-os FS IGBT kiváló kapcsolási teljesítményt, nagy lavinaállóságot és egyszerű párhuzamos működést kínál
Elérhetőség:
Mennyiség:

Leírás

A DongHai szabadalmaztatott Trench dizájnját és a fejlett FS technológiát használva a 650 V-os FS IGBT kiváló kapcsolási teljesítményt, nagy lavinaállóságot és egyszerű párhuzamos működést kínál.

Jellemzők

● FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható

● Alacsony telítési feszültség: VCE(sat), típus = 2,0V @ IC =50A és Tj =25°C

● Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség

Alkalmazások

● Hegesztés

● UPS

● Háromszintű inverter


Előző: 
Következő: 

Termékkategória

Legfrissebb hírek

  • Iratkozz fel a hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket