Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Koti » Tuotteet » IGBT » 600V-650V » G50T65D

Ladataan

Jakaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjan jakamispainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

G50T65D

Käyttämällä DongHain patentoitua Trench-suunnittelua ja edistyksellistä FS-tekniikkaa, 650 V FS IGBT tarjoaa erinomaisen ja kytkentäsuorituskyvyn, korkean lumivyörykestävyyden helpon rinnakkaiskäytön
Saatavuus:
Määrä:

Kuvaus

Käyttämällä DongHain patentoitua Trench-suunnittelua ja edistyksellistä FS-tekniikkaa, 650 V FS IGBT tarjoaa ylivoimaisen ja kytkentäsuorituskyvyn, korkean lumivyörykestävyyden ja helpon rinnakkaiskäytön.

ominaisuudet

● FS Trench Technology, positiivinen lämpötilakerroin

● Matala kyllästysjännite: VCE(sat), tyyppi = 2.0V @ IC =50A ja Tj =25°C

● Erittäin parannettu lumivyörykyky

Sovellukset

● Hitsaus

● UPS

● Kolmitasoinen invertteri


Edellinen: 
Seuraava: 

tuotekategoria

Uusimmat uutiset

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Tilaa