40A 60V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH400P06 TO-220C

40A 60V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullanılan bu P-kanalı geliştirilmiş vdmosfet'ler, düşük kapı şarjıyla mükemmel Rdson sağlar. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● İnvertör yönetim sistemi

● Elektrikli aletler

● Otomotiv elektroniği

VDSS	RDS(açık) (TİP)	İD
-60V	32mΩ	-40A