80A 60V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DATD063N06N TO-252B

80A 60V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย 

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

● ผ่านการรับรอง AEC-Q101 

● MSL1 ปรับอุณหภูมิได้สูงสุด 260°C 

● อุณหภูมิในการทำงาน 175°C

● ผลิตภัณฑ์ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม (เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS)

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

3 การใช้งาน 

● การใช้งานด้านยานยนต์

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน 

● ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์ 

● เครื่องมือไฟฟ้า 

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
60V	5.7mΩ	80เอ