Tillgänglighet: | |
---|---|
Kvantitet: | |
MUR1060
Wxdh
TO-220-2L
600V
10A
10A 600V Fast Recovery Diode
1 Beskrivning
10a, 600V ultrafastdioder De har en låg spänningsfall och är av plana, kiselnitrid passiverade, jon-implanterade, epitaxial konstruktion. Dessa enheter är avsedda att användas som energistyrning/klämdioder och likriktare i en mängd olika växling av strömförsörjning och andra strömbrytande applikationer. Deras låga lagrade laddning och ultrasnabb återhämtning med mjuka återhämtningsegenskaper minimerar ringning och elektriskt brus i många kraftomkopplingskretsar, vilket reducerar effektförlust i växlingstransistorn TO-220F ger isoleringsspänning klassad vid 2000V RMS från alla tre terminaler till extern kylfläns.
2 funktioner
Låg effektförlust,
Hög effektivitet låg spänningsspänning,
Hög nuvarande kapacitet Hög överspänningskapacitet
Super snabba återhämtningstider
Högspänning
3 applikationer
Byt strömförsörjning
Strömbrytningskretsar
Allmänt syfte
Vbr | VF (singel) (max) | If (AV) (singel) |
600V | 1.6V | 10A |
10A 600V Fast Recovery Diode
1 Beskrivning
10a, 600V ultrafastdioder De har en låg spänningsfall och är av plana, kiselnitrid passiverade, jon-implanterade, epitaxial konstruktion. Dessa enheter är avsedda att användas som energistyrning/klämdioder och likriktare i en mängd olika växling av strömförsörjning och andra strömbrytande applikationer. Deras låga lagrade laddning och ultrasnabb återhämtning med mjuka återhämtningsegenskaper minimerar ringning och elektriskt brus i många kraftomkopplingskretsar, vilket reducerar effektförlust i växlingstransistorn TO-220F ger isoleringsspänning klassad vid 2000V RMS från alla tre terminaler till extern kylfläns.
2 funktioner
Låg effektförlust,
Hög effektivitet låg spänningsspänning,
Hög nuvarande kapacitet Hög överspänningskapacitet
Super snabba återhämtningstider
Högspänning
3 applikationer
Byt strömförsörjning
Strömbrytningskretsar
Allmänt syfte
Vbr | VF (singel) (max) | If (AV) (singel) |
600V | 1.6V | 10A |