Enhancement-mode Mosfets ဘာတွေလဲ။

နိဒါန်း

Enhancement-mode Mosfets သည်ခေတ်မီအီလက်ထရွန်းနစ်တွင်အထူးသဖြင့်ဒစ်ဂျစ်တယ်ဆားကစ်များနှင့်ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များတွင်အဓိကအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။ ဗို့အားမသုံးသောအခါစီးဆင်းနေသောစီးဆင်းမှုမရှိသော Transistor များအနေဖြင့်၎င်းတို့သည်ထိရောက်သောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားစွာဒီဇိုင်းရေးဆွဲခြင်းတွင်အရေးပါသည်။ ဤဆောင်းပါးသည်၎င်းတို့၏စစ်ဆင်ရေးအခြေခံမူများ, applications များနှင့်အားသာချက်များကိုစူးစမ်းလေ့လာခြင်း, ဤကိရိယာများကိုနားလည်ခြင်းသည်ပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်စွမ်းအင်ထိရောက်မှုအတွက် circuit များကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်ရည်ရွယ်သည့်ပညာရှင်များအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။ စူးစမ်းလေ့လာရေးလက်တွေ့အကောင်အထည်ဖော်မှုကိုပိုမိုနက်ရှိုင်းသောထိုးထွင်းသိမြင်မှုသည် Enhancement mode Power Devices သည်အလွန်အမင်းအကျိုးရှိနိုင်သည်။

တိုးမြှင့် mode ကို Mosfets ၏အခြေခံ

Enhancement-mode Mosfets သည် field about transistor (FET) အမျိုးအစားများဖြစ်သည်။ ကုန်ခမ်းခြင်း - Mode Mosfets နှင့်မတူသည်မှာ Zero ဂိတ်ဗို့အားဖြင့်မည်သည့်အရာမျှမသုံးသောအခါပိုမိုများပြားလာသည်။ ဤဝိသေသလက်ခဏာသည်၎င်းတို့အားအီလက်ထရောနစ်အပလီကေးရှင်းများတွင်ဗို့အားထိန်းချုပ်သည့်ခလုတ်များအဖြစ်အသုံးပြုရန်အကောင်းဆုံးအသုံးပြုရန်အတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

Enhancement-mode Mosfets ၏လုပ်ဆောင်မှုသည် semiconductor channel တွင်အားသွင်းထားသောသယ်ဆောင်သူများ၏မော်ဂျူများကိုအခြေခံသည်။ N-channel device တစ်ခုတွင် Provice Gate Voltage ကိုအသုံးပြုသောအခါ၎င်းသည်အီလက်ထရွန်သည် Gand Gate Oxewer သို့ဆွဲဆောင်ပြီး conitider-channer-channel ကိုဖွဲ့စည်းသည်။ ၎င်းသည်လက်ရှိယိုစီးမှုနှင့်အရင်းအမြစ်ဆိပ်ကမ်းများအကြားစီးဆင်းမှုကိုခွင့်ပြုသည်။ အဆိုပါတံခါးခုံဗို့အားသည်ဤရုပ်သံလိုင်းကိုဖွဲ့စည်းရန်လိုအပ်သောအနိမ့်ဆုံးဂိတ်ဗို့အားကိုညွှန်ပြသည့်အရေးပါသော parameter တစ်ခုဖြစ်သည်။

N-channel vs. P-channel တိုးမြှင့်မှု - MOSFETS MOMFETS

Enhancement-mode Mosfets သည်အဓိကအမျိုးအစားနှစ်မျိုးဖြင့် 0 င်ရောက်လာသည်။ N-Channel နှင့် P-channel ။ N-Channel Mosfets သည်အီလက်ထရွန်များကိုအားသွင်းထားသည့်သယ်ဆောင်သူများအဖြစ် အသုံးပြု. အရင်းအမြစ်နှင့်သက်ဆိုင်သောဂိတ်ဗို့ 0 ရယ်လ်ကိုလိုအပ်သည်။ P-Channel Mosfets အခြားတစ်ဖက်တွင်မူအမြှေးပါးများကိုအားသွင်းသယ်ဆောင်သူများနှင့်အနီတံခါးဗို့အားလိုအပ်သည်။ N-channel ထုတ်ကုန်များသည်ပုံမှန်အားဖြင့်ပိုမိုမြန်ဆန်သောစွမ်းဆောင်ရည်နိမ့်ကျမှုနှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောအီလက်ထရွန်ရွေ့လျားမှုကဲ့သို့သောပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ဝိသေသလက္ခဏာများကိုပိုမိုမြန်ဆန်သောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောလက္ခဏာများကိုပေးသည်။

စစ်ဆင်ရေးအခြေခံမူ

လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်စွတ်ပတ် 0 န်းကျင်ရှိတိုးမြှင့် mode mode mode ကို Mosfet စင်တာများ၏လုပ်ဆောင်မှု။ တံခါးဝတွင်ဗို့အားကိုအသုံးပြုသောအခါ၎င်းသည်လျှပ်စစ်လယ်ကိုဖန်တီးပေးသည့်လျှပ်စစ်လယ်ကိုဖန်တီးပေးသည်။ ဂိတ်တံခါးမှ chyanmar ကို chyanmar မှကင်းလွတ်၏ပါးလွှာသောဒိုင်အောက်ဆိုဒ်အနေဖြင့် dielectric ဖြစ်သည်။ ဤ insulator သည် character cloudition ကိုတိုက်ရိုက်စီးဆင်းမှုမရှိဘဲထိန်းချုပ်ရန်တံခါးကိုခွင့်ပြုထားသည်။

တိုးမြှင့်မှု - mode mode mode mode mode mode mode mosfet ရှိယိုစီးမှုများကိုထိန်းချုပ်နိုင်သည်။ ဤစွမ်းရည်သည် amplification နှင့် applications များကို switching လုပ်ရန်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။ Device သည်ဒေသဆိုင်ရာဗို့အားနှင့်ယိုစီးမှုရင်းမြစ်ပေါ် မူတည်. ကွဲပြားခြားနားသောဒေသများတွင်လုပ်ကိုင်သည်။ ဤဒေသများကိုနားလည်ခြင်းသည်မောရှေ၏အလားအလာကိုအပြည့်အဝအသုံးချသည့်ဆားကစ်များကိုဒီဇိုင်းဆွဲရန်အလွန်အရေးကြီးသည်။

တံခါးခုံဗို့အားနှင့်၎င်း၏အရေးပါမှု

တံခါးခုံဗို့အား (v _th ) သည် MOSTHETS MODFETS တွင်အဓိက parameter ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် conductive channel တစ်ခုဖန်တီးရန်လိုအပ်သောအနည်းဆုံးတံခါးဝ to-source ဗို့အားသတ်မှတ်သည်။ တံခါးခုံဗို့အားကိုထိခိုက်သောအချက်များ, အောက်ဆိုဒ်၏အထူအစက်အပြောက်နှင့်လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုသည်တံခါးပစ္စည်းများနှင့်အလွှာအကြားလုပ်ငန်းလုပ်ဆောင်ချက်ခြားနားချက်တို့ပါဝင်သည်။ v တိကျသောထိန်းချုပ်မှုသည် _{ကြိမ်မြောက်သောအောင်မြင်မှုအပေါ်} Mosfet သည်ဆားကစ်အတွင်းတွင်မှန်ကန်စွာလည်ပတ်ရန်အတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။

Enhancement-mode Mosfets ၏ application များ

Enhancement-mode Mosfets သည်၎င်းတို့၏ထိရောက်သော switching ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်မြင့်မားသော input impedance များကြောင့်အမျိုးမျိုးသောအီလက်ထရောနစ် application များတွင်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုသည်။ ၎င်းတို့သည်ဒစ်ဂျစ်တယ်ပေါင်းစပ်ထားသောဆားကစ်များတွင်အခြေခံကျသောအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။ အာဏာရအဆင့်နိမ့်မှုတွင်၎င်းတို့၏လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းသည်၎င်းတို့အားဘက်ထရီစွမ်းအင်သုံးကိရိယာများနှင့်အိတ်ဆောင်အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများအတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

အာဏာပိုင်များအနေဖြင့် Enhancement-mode Mosfets သည် Power Converters နှင့် Inverters တွင်မြန်နှုန်းမြင့်ခလုတ်များအဖြစ်အသုံးပြုသည်။ သူတို့၏အစာရှောင်ခြင်း switching speeds နှင့်လုံးဝခုခံနိုင်မှုနိမ့်ခြင်းကစွမ်းအင်စီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များတွင်ပိုမိုထိရောက်စေသည်။ ထို့အပြင်၎င်းတို့သည် signal procession များအနေဖြင့်၎င်းတို့၏ linear စစ်ဆင်ရေးအတွက်လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုဆိုင်ရာဒေသန္တရလုပ်ငန်းခွင်ဒေသများအတွက်၎င်းတို့အား analog circuit များတွင်အသုံးပြုသည်။

ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များတွင်အသုံးပြုပါ

Power Management တွင် Enhancement-mode Mosfets သည်ဗို့အားစည်းမျဉ်းစည်းကမ်းများနှင့်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြောင်းလဲခြင်းတွင်အရေးပါသောအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်သည်။ ၎င်းတို့ကို DC-DC collers များတွင်အသုံးပြုသည်။ ၎င်းတို့သည် output output voltage နှင့် current ကိုထိန်းချုပ်ရန်လျင်မြန်စွာပြောင်းလဲခြင်း, လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြန့်ဖြူးမှု၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးတက်စေသည်။ စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုနိမ့်ကျခြင်းကိုထိန်းသိမ်းထားစဉ်မြင့်မားသော voltages နှင့် current များကိုကိုင်တွယ်ရန်သူတို့၏စွမ်းရည်သည်ခေတ်မီပါဝါစနစ်များအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။

ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များနှင့်လျှပ်စစ်မော်တော်ယာဉ်များကဲ့သို့မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်ထိရောက်မှုလိုအပ်သော application များအတွက် applications များအတွက်အဆင့်မြင့်စူးစမ်းလေ့လာခြင်း Enhancement mode Power Mosfets သည်သိသာထင်ရှားသည့်အားသာချက်များကိုပေးသည်။ ဤကိရိယာများသည်အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ကိုဖြည့်ဆည်းစဉ်ကြမ်းတမ်းသောလည်ပတ်မှုအခြေအနေများကိုခံနိုင်ရည်ရှိရန်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။

Enhancement-mode Mosfets ၏အားသာချက်များ

Enhancement-mode Mosfets သည်အီလက်ထရွန်နစ်ဒီဇိုင်းများတွင်သူတို့ကိုပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်နိုင်သည့်အကျိုးကျေးဇူးများစွာကိုကမ်းလှမ်းသည်။ ၎င်းတို့၏မြင့်မားသော input impedance ဆိုသည်မှာ၎င်းတို့သည်အနည်းဆုံးဂိတ်များကိုလက်စွပ်စီးခြင်း, ဤဝိသေသလက်ခဏာသည်အထူးသဖြင့်ကျယ်ပြန့်သော circuits နှင့် signal procession application များတွင်အထူးအကျိုးရှိသည်။

နောက်ထပ်အားသာချက်မှာသူတို့၏မြန်ဆန်သော switching စွမ်းရည်ဖြစ်သည်။ Enhancement-mode Mosfets သည်အလျင်အမြန်ပြည်နယ်များကိုအလျင်အမြန်ကူးပြောင်းနိုင်ပြီးအလွန်အမင်းကြိမ်နှုန်းအပလီကေးရှင်းများနှင့်ပါဝါထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများအတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။ သူတို့၏ခံနိုင်ရည်နိမ့်ကျမှုနိမ့်ကျခြင်းသည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစဉ်အတွင်းလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဆုံးရှုံးမှုကိုလျော့နည်းစေသည်။

အပူစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရ

အပူစွမ်းဆောင်ရည်သည် semiconductor device များ၏အရေးပါသောကဏ် aspect တစ်ခုဖြစ်သည်။ Enhancement-mode Mosfets သည်ပုံမှန်အားဖြင့်ကောင်းမွန်သောအပူတည်ငြိမ်မှုကိုပြသသည်။ သင့်လျော်သောအပူစီမံခန့်ခွဲမှုသည်၎င်း၏သက်တမ်းကိုလုံခြုံစိတ်ချရသောအပူချိန်ကန့်သတ်ချက်များအတွင်းလည်ပတ်ခြင်းနှင့်တသမတ်တည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကိုထိန်းသိမ်းခြင်းကိုထိန်းသိမ်းထားနိုင်ကြောင်းသေချာစေသည်။

ဤ Mosfets ၏ခိုင်လုံသောခိုင်လုံသောတည်ဆောက်မှုသည်၎င်းတို့အားသိသာထင်ရှားသောပါဝါအဆင့်ဆင့်ကိုကိုင်တွယ်ရန်ခွင့်ပြုသည်။ အထူးပြုကဲ့သို့သောဂုဏ်သိက္ခာရှိသောအရင်းအမြစ်များမှပစ္စည်းများကိုရွေးချယ်ခြင်းအားဖြင့် MANCHETS MOSS MOSSTORS Mosfets Mosfets, ဒီဇိုင်နာများသည်၎င်းတို့၏လျှောက်လွှာများတွင်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားမှုကိုသေချာစေနိုင်သည်။

ဒီဇိုင်းထည့်သွင်းစဉ်းစား

Enhancement-mode mosfets ကိုဒီဇိုင်းတစ်ခုအဖြစ်ထည့်သွင်းသောအခါစွမ်းဆောင်ရည်ကိုအကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်အချက်များစွာထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည်။ ၎င်းတို့တွင်သင့်လျော်သောဂိတ် drive ဗို့အားရွေးချယ်ခြင်း, switching ဝိသေသလက္ခဏာများကိုနားလည်ခြင်းနှင့် parasitic element များကိုရှာဖွေခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကိုသက်ဝင်စေနိုင်သည့်စွမ်းရည်နှင့် induction ကဲ့သို့သောကပ်ပါးကောင်များကိုစီမံခြင်း။

ဂိတ် drive circuitry သည် MOSFet ကိုအပြည့်အ 0 လှည့်ရန်, ထို့အပြင်ဂိတ် drive သည်အဆင့်မြင့်အပလီကေးရှင်းများ၌အထူးအရေးကြီးသည်။

ကပ်ပါး capacitance နှင့် inductance

ဂိတ်တံခါး, ယိုစီးမှုနှင့်ရင်းမြစ်အကြားကပ်ပါးကောင်၏ capacitance သည်မော်ဒက်၏ switching မြန်နှုန်းကိုသက်ရောက်နိုင်သည်။ မြင့်မားသောကပ်ပါး capacitance သည်စွမ်းအင်နှင့်အချိန်ပိုများကိုအားသွင်းရန်အတွက်စွမ်းအင်နှင့်အချိန်ပိုပေးရန်နှင့်စက်ကိရိယာများကိုနှေးကွေးစေပြီးဆုံးရှုံးမှုများကိုတိုးမြှင့်နိုင်သည်။ ဂရုတစိုက် PCB layout နှင့် component selection မှတဆင့်ဤကပ်ပါးကောင်လေးများကိုလျှော့ချရန်အရေးကြီးသည်။

ကပ်ပါးသော inductance, circuit tracts မှဖြစ်ပေါ်လာသော circuit tracts မှဖြစ်ပေါ်လာလေ့ရှိပြီး inductive kickback အကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့် switching အတွင်းဗို့အား spikes များကိုဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။ ဤဗို့အား spikes များသည် mosfet ၏အများဆုံးသတ်မှတ်ချက်များထက်ကျော်လွန်သွားနိုင်သည်။ အချည်းနှီးသောဆားကစ်များကိုအကောင်အထည်ဖော်ခြင်းနှင့် induction ကိုလျှော့ချရန် layout နည်းစနစ်များကိုအသုံးပြုခြင်းသည်ဤအန္တရာယ်များကိုလျော့ပါးစေနိုင်သည်။

Mosfet နည်းပညာ၏နောက်ဆုံးပေါ်တိုးတက်မှုများ

Semiconductor Technology တွင်တိုးတက်မှုများအရ Mosfet စွမ်းဆောင်ရည်သိသိသာသာတိုးတက်မှုများရရှိခဲ့သည်။ ဆီလီကွန်ကာဘန်း၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု (SIC) နှင့်ဂယ်လီယမ်) ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု (Gan) Mosfets (Gan) Mosfets) သည်ပိုမိုမြင့်မားသောပြတ်တောက်မှုဗို့အားနှင့်ပိုမိုမြန်ဆန်သော switching အမြန်နှုန်းကိုပိုမိုကောင်းမွန်သောလျှပ်စစ်လက္ခဏာများနှင့်ပိုမိုကောင်းမွန်သောသွင်ပြင်လက္ခဏာများနှင့်မိတ်ဆက်ပေးခဲ့သည်။ ဤကိရိယာများသည်ပါဝါမြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့်အဆင့်မြင့်ဒိုမိန်းများရှိ Mosfets များအတွက်လျှောက်လွှာဖြစ်နိုင်ခြေများကိုတိုးချဲ့လျက်ရှိသည်။

ထို့အပြင် Enhancement-mode Mosfets ကိုအသိဉာဏ်ရှိသောစွမ်းအင် module များ (system-in-in-package) နှင့် system-in-in-package (SIP) ဖြေရှင်းနည်းများကိုပေါင်းစပ်ခြင်းသည်အီလက်ထရောနစ်စနစ်များ၏ထိရောက်မှုနှင့်ကျစ်လစ်သိပ်သည်းမှုကိုတိုးမြှင့်ပေးသည်။ ဥပမာအားဖြင့်, မှာရရှိနိုင် devices တွေကို Enhancement mode power module များသည်ရှုပ်ထွေးသောပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုဆိုင်ရာစိန်ခေါ်မှုများအတွက်ပေါင်းစည်းထားသောဖြေရှင်းနည်းများကိုကမ်းလှမ်းသည်။

ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်နှင့်မော်တော်ယာဉ်လျှောက်လွှာများအပေါ်သက်ရောက်မှု

နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး inverters နှင့်လေထာလုပ်ငန်းများကဲ့သို့သောပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များ, ဆုံးရှုံးမှုအနည်းဆုံးဆုံးရှုံးမှုများဖြင့်အမြင့်ဆုံးဆုံးရှုံးမှုများဖြင့်အမြင့်ဆုံးအရှည်ဆုံးနှင့်ရေစီးကြောင်းများကိုကိုင်တွယ်ရန်သူတို့၏စွမ်းရည်သည်စွမ်းအင်ရိတ်သိမ်းခြင်းနှင့်လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုစရိတ်များကိုလျှော့ချရန်အလွန်အရေးကြီးသည်။

မော်တော်ကားလုပ်ငန်းတွင်လျှပ်စစ်မော်တော်ယာဉ်များ (EVs) ဆီသို့ ဦး တည်သည့်ပြောင်းလဲမှုသည်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောလျှပ်စစ်ဓာတ်အားသုံးစွဲမှုအတွက် 0 ယ်လိုအားကိုတိုးမြှင့်ခဲ့သည်။ Enhancement-mode Mosfets သည် EV Powertrain စနစ်များ, ဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့်အခြေခံအဆောက်အအုံများတွင်အဓိကကျသည်။ သူတို့၏စွမ်းဆောင်ရည်သည်ယာဉ်၏ထိရောက်မှု, အကွာအဝေးနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုများကိုတိုက်ရိုက်သက်ရောက်သည်။

တိုးမြှင့်မှု - mode-mode နှင့် depletion-mode mode ကိုနှိုင်းယှဉ်ခြင်း

Enhancement-mode Mosfets သည်ပုံမှန်အားဖြင့်ဂိတ်ဗို့အားမပါဘဲပုံမှန်အားဖြင့်ပိတ်ထားသည်။ ဒီအခြေခံခြားနားချက်ကသူတို့က circuit တွေမှာဘယ်လိုအသုံးပြုသလဲဆိုတာကိုအကျိုးသက်ရောက်သည်။ Enhancement-mode devices များလိုအပ်သော applications များအတွက် applications များလိုအပ်သော applications များကို unform ည့်ဂိတ်ဗို့အားတွင်မအောင်မြင်သောအခြေအနေများမှလျှပ်စစ်ဓာတ်အားကင်းစင်သည့်အခြေအနေများပေးရန်လိုအပ်သည်။

ကုန်ခမ်းမှု - Mode Mosfets သည်ပုံမှန်စက်ပစ္စည်းများနှစ်လိုဖွယ်ဖြစ်သည့် Niche applications များကိုရှာဖွေသည်။ သို့သော်တိုးမြှင့်မှုပုံစံများမှပေးထားသောအားသာချက်များကိုအားသာချက်များနှင့်ထိန်းချုပ်မှုကိုထိန်းချုပ်ခြင်းတို့ကြောင့်၎င်းတို့သည်ဘလောက်နည်းပါးသည်။ ဤအမျိုးအစားများအကြားအသိပေးရွေးချယ်မှုပြုလုပ်ခြင်းသည်လျှောက်လွှာ၏လိုအပ်ချက်အပေါ်မူတည်သည်။

တိုက်နယ်ဒီဇိုင်းအတွက်လက်တွေ့ကျသောသက်ရောက်မှုများ

Circuit ဒီဇိုင်းတွင် Enhancement-mode romfets သည်ပိုမိုကောင်းမွန်သောထိန်းချုပ်မှုကိုပေးသည်။ သူတို့က activated မှလွဲ. မရည်ရွယ်ဘဲလက်ရှိစီးဆင်းမှုအန္တရာယ်ကိုလျှော့ချခြင်းမပြုပါကမူသူတို့မကျင့်ပါ။ ဤဝိသေသလက္ခဏာများသည် standby power systems ၏ဒီဇိုင်းကိုရိုးရှင်းလွယ်ကူပြီးစွမ်းအင်စုစည်းရန်အထောက်အကူပြုသည်။

ဤကိရိယာများကိုပေါင်းစပ်ရန်ရှာဖွေနေသည့်အင်ဂျင်နီယာများအတွက်, Enhancement mode Power Compronents သည် application အမျိုးမျိုးအတွက်လှည့်ပတ်နေသောမော်ဖွန်းများကိုကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်ရွေးချယ်ခြင်းကိုပေးသည်။

အနာဂတ်ခေတ်ရေစီးကြောင်း

အနာဂတ်တိုးမြှင့်မှု - MODE-MODE MOSFETS Mosfets သည်ထိရောက်သောလျှပ်စစ်ဓာတ်အားသုံးစွဲမှု 0 ယ်လိုအားတိုးများလာခြင်းကြောင့်ကြီးထွားရန်အဆင်သင့်ဖြစ်နေသည်။ ဆက်လက်လေ့လာနေသုတေသနသည်ပိုမိုမြင့်မားသောအီလက်ထရွန်ရွေ့လျားမှုနှင့်အပူစီးကူးခြင်းနှင့်အတူ semiconductor ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ခြင်းကဲ့သို့သောပစ္စည်းများဂုဏ်သတ္တိများတိုးတက်စေရန်အာရုံစိုက်သည်။ ဤတိုးတက်မှုများသည်စက်အရွယ်အစားနှင့်ကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချနေစဉ်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုမြှင့်တင်ရန်ရည်ရွယ်သည်။

ဒီဂျစ်တယ်ထိန်းချုပ်မှုစနစ်များနှင့်ပေါင်းစည်းမှုသည်အခြားလမ်းကြောင်းတစ်ခုမှာနောက်ထပ်လမ်းကြောင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ MicroloControllers နှင့်ဒီဂျစ်တယ်အချက်ပြပရိုဆက်ဆာများနှင့်အတူတိုးမြှင့် mode mode mosfets ပေါင်းစပ်မှုပေါင်းစပ်ခြင်းနှင့်ဒီဂျစ်တယ်အချက်ပြပရိုဆက်ဆာများဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကိုအချိန်နှင့်တပြေးညီလုပ်ဆောင်နိုင်သည့်လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်စနစ်များဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကိုအထောက်အကူပြုသည်။

ထွန်းသစ်စနည်းပညာများ၏သက်ရောက်မှု

အသစ်သောအရာများ (IOT) နှင့်စက်မှုလုပ်ငန်းများကဲ့သို့သောအင်တာနက်ကဲ့သို့သောနည်းပညာများ 4.0 စသည့်စွမ်းအင်ထိရောက်သောနှင့်ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသောပါဝါဖြေရှင်းနည်းများအတွက် 0 ယ်လိုအားကိုတိုးပွားစေသည်။ Enhancement-mode Mosfets သည်ဤလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းခြင်း၏ရှေ့တန်းမှရှိပြီးသူတို့၏ဆင့်ကဲအယူဝါဒသည်အနာဂတ်အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များ၏ထိရောက်မှုကိုသိသိသာသာလွှမ်းမိုးလိမ့်မည်။

ဖြတ်တောက်ခြင်း - အစွန်းပေးတဲ့ကုမ္ပဏီတွေ Enhancement mode Power Mosfets သည်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောမိတ်ဖက်များမှာမရှိမဖြစ်လိုအပ်သောမိတ်ဖက်များဖြစ်သည်။

ကောက်ချက်

Enhancement-mode Mosfets သည်ခေတ်မီအီလက်ထရွန်းနစ်တွင်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။ မြင့်မားသော input impedance နှင့်အတူဗို့အားထိန်းချုပ်ထားသောခလုတ်များအနေဖြင့်၎င်းတို့၏စွမ်းဆောင်နိုင်မှုစွမ်းရည်သည်သူတို့ကိုဒစ်ဂျစ်တယ်နှင့် Analog circuit နှစ်ခုလုံးအတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ နည်းပညာတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှဤကိရိယာများသည်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုပင် ပို. တိုးတက်ပြောင်းလဲလာသည်။

အခြေခံမူများ၏အခြေခံမူများနှင့်လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုဆိုင်ရာစည်းမျဉ်းစည်းကမ်းများကိုနားလည်ခြင်းသည်လယ်ပြင်၌အင်ဂျင်နီယာများနှင့်ပညာရှင်များအတွက်အရေးပါသည်။ စက်မှုလုပ်ငန်းခေါင်းဆောင်များမှအရင်းအမြစ်များနှင့်ထုတ်ကုန်များကိုမြှင့်တင်ခြင်း Enhancement mode Power Devices သည်နောက်ဆုံးပေါ်တိုးတက်မှုများနှင့်အရည်အသွေးအမြင့်ဆုံးအစိတ်အပိုင်းများကိုလက်လှမ်းမီနိုင်ပြီးအရည်အသွေးမြင့်ပြီးထိရောက်သောအီလက်ထရောနစ်စနစ်များဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကိုရရှိစေသည်။