အသေးစိတ်
| VDSS |
RDS(ဖွင့်) (TYP) |
အမှတ်သညာ |
| -30V |
4.5mΩ |
140A |
ထုတ်ကုန်လုပ်ဆောင်ချက်များ
ဤ P-channel MOSFET သည် အဆင့်မြှင့်တင်မုဒ်နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ လုပ်ဆောင်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ဂိတ်ရင်းမြစ်ဗို့အား သုညဖြစ်သောအခါတွင် ၎င်းသည် ပိတ်ထားဆဲဖြစ်သည်။ အနှုတ်ဗို့အားကို gate terminal သို့ သက်ရောက်သောအခါ၊ ၎င်းသည် အရင်းအမြစ်မှ မြောင်းဆီသို့ ထိရောက်သော လျှပ်စီးကြောင်းကို ခွင့်ပြုပေးခြင်းဖြင့် ၎င်းကို ဖွင့်ထားသည်။ ၎င်း၏ လျင်မြန်သော ကူးပြောင်းနိုင်မှုစွမ်းရည်နှင့် ခံနိုင်ရည်နည်းသော (RDS(on)) သည် ဝန်မြင့်မားသောအခြေအနေအောက်တွင်ပင် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုအနည်းဆုံးဖြစ်ကြောင်း သေချာစေသည်။ အထူးသဖြင့် လေးလံသောအလုပ်များအောက်တွင် တသမတ်တည်း စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်သော ပါဝါကိရိယာများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။ ၎င်းတွင် ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် switching applications များတွင် ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် low gate charge နှင့် reverse transfer capacitance တို့လည်းပါရှိသည်။
သက်ဆိုင်သော အခြေအနေများ
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET ကို ပါဝါကိရိယာများ၊ မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် အင်ဗာတာ စီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုပါသည်။ ပါဝါကိရိယာများတွင်၊ ၎င်းသည် ပါဝါသုံးစွဲမှုကို ထိထိရောက်ရောက် စီမံခန့်ခွဲနိုင်သည့် ထိရောက်သော switching စွမ်းရည်များကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့် ချောမွေ့သောလည်ပတ်မှုကို သေချာစေရန်အတွက် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည်။ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုမှာ အဓိကကျသော ဘက်ထရီသုံးစနစ်များနှင့် DC/DC converters များတွင်လည်း အပလီကေးရှင်းများကို ရှာတွေ့သည်။ ထို့အပြင်၊ ဤ MOSFET ၏ မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် လည်ပတ်နိုင်မှုနှင့် ၎င်း၏ ပါဝါစုပ်ယူမှု နည်းပါးခြင်းကြောင့် ၎င်းအား ကြံ့ခိုင်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများ လိုအပ်သည့် ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်စေသည်။
ထုတ်ကုန်အားသာချက်များ
ဤ P-channel MOSFET ၏ အဓိကအားသာချက်များထဲမှတစ်ခုမှာ လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးသည့် ၎င်း၏ လျင်မြန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ ခံနိုင်ရည်အား နည်းပါးခြင်းသည် ပါဝါသုံးကိရိယာများကဲ့သို့ စက်ပစ္စည်းများကို အပူထုတ်လုပ်မှု အနည်းဆုံးဖြင့် အကောင်းဆုံး လုပ်ဆောင်နိုင်စေကြောင်း အာမခံပါသည်။ MOSFET သည် ၎င်း၏ အကြမ်းခံမှုနှင့် မြင့်မားသော လျှပ်စီးကြောင်းနှင့် ဗို့အားအဆင့်များကို ကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းရှိသောကြောင့် ၎င်းသည် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် မြင့်မားသော ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ဖြစ်စေသည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်း၏ RoHS စံနှုန်းများကို လိုက်နာခြင်းသည် ခေတ်မီပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ စည်းမျဉ်းများနှင့် ကိုက်ညီကြောင်း အာမခံပါသည်။ 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှုတွင် ၎င်းသည် ပါဝါတက်လာခြင်းများကို ချို့ယွင်းမှုမရှိဘဲ ကိုင်တွယ်နိုင်ပြီး နယ်ပယ်အတွင်း ၎င်း၏သက်တမ်းကို တိုးမြင့်စေကြောင်း သေချာစေသည်။
ဤ MOSFET သည် ပါဝါတူးလ်ထုတ်လုပ်သူများအား ၎င်းတို့၏ထုတ်ကုန်များ၏ ထိရောက်မှုနှင့် တာရှည်ခံမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာပြီး တာရှည်ခံသည့်ဖြေရှင်းချက်တစ်ခု ပေးဆောင်ပါသည်။
