N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET 120A 85V
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် splite gate trench နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ခုခံမှုနည်းသည်။
● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ
● မြင့်မားသောနှင်းလျှောစီးမှု
● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● SMPS တွင် ထပ်တူကျအောင် ပြုပြင်ခြင်း။
● Hard switching နှင့် high speed circuit များ
● ပါဝါကိရိယာများ
● UPS
● မော်တာထိန်းချုပ်မှု
| VDSS |
RDS(ဖွင့်)(TYP) |
အမှတ်သညာ |
| 85V |
4.6mΩ |
120A |