ရရှိနိုင်မှု - | |
---|---|
အရေအတွက်: | |
Mur80FU40DCT
wxdh
to-3pn
400v
80A
Fast Recovery Diode 80A 400V
1 ဖော်ပြချက်
80A, 400V ultrafast diodes တွင် 4 င်းတို့တွင်ရှေ့သို့ voltage drop နှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, impalogaxial ဆောက်လုပ်ရေး, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့် RectifiFifiies တို့အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ဆည်းပေးသည့်ပါဝါခလုတ်များနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်များအဆိုများတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့နှင့်အတူ Ultrafast Recovery တို့ကပါဝါ switching circuit များတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျော့နည်းစေသည်
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအားနိမ့်နိမ့်ခြင်း,
မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နိမ့် forward voltage,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
Super Fast Recovery Times
High ဗို့အား
3
power power supply switching
ပါဝါပြောင်းခြင်း circuits
inverterပါဝါထောက်ပံ့ရေး
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
400v | 1.5V | 40th |
Fast Recovery Diode 80A 400V
1 ဖော်ပြချက်
80A, 400V ultrafast diodes တွင် 4 င်းတို့တွင်ရှေ့သို့ voltage drop နှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, impalogaxial ဆောက်လုပ်ရေး, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့် RectifiFifiies တို့အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ဆည်းပေးသည့်ပါဝါခလုတ်များနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်များအဆိုများတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့နှင့်အတူ Ultrafast Recovery တို့ကပါဝါ switching circuit များတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျော့နည်းစေသည်
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအားနိမ့်နိမ့်ခြင်း,
မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နိမ့် forward voltage,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
Super Fast Recovery Times
High ဗို့အား
3
power power supply switching
ပါဝါပြောင်းခြင်း circuits
inverterပါဝါထောက်ပံ့ရေး
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
400v | 1.5V | 40th |