အမြန်ပြန်လည်ရယူရေး diode 60A 200V
1 ဖော်ပြချက်
60A၊ 200V Ultrafast Diodes ၎င်းတို့တွင် ရှေ့သို့ ဗို့အားကျဆင်းမှု နည်းပါးပြီး planar၊ ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် passivated၊ ion-implanted၊ epitaxial တည်ဆောက်မှုတို့ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ ဤစက်ပစ္စည်းများကို switching power supply နှင့် အခြားသော power switching applications အမျိုးမျိုးတွင် စွမ်းအင်စတီယာရင်/ကလစ်ချီဒိုင်အိုဒများနှင့် rectifi ers အဖြစ် အသုံးပြုရန်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။ ၎င်းတို့၏ သိမ်းဆည်းထားသော အားသွင်းမှု နည်းပါးခြင်းနှင့် အလွန်လျင်မြန်သော ပြန်လည်ရယူခြင်းသည် ပျော့ပျောင်းသော ပြန်လည်ရယူခြင်း လက္ခဏာများနှင့်အတူ ပါဝါပြောင်းသည့် ဆားကစ်များစွာတွင် အသံမြည်ခြင်းနှင့် လျှပ်စစ်ဆူညံသံများကို လျှော့ချပေးသည့်အတွက် switching transistor တွင် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
ဓာတ်အားလျော့နည်းခြင်း၊
high efficiency Low forward voltage၊
high current capability မြင့်မားသော surge capacity
အလွန်လျင်မြန်သော ပြန်လည်ရယူချိန်များ
မြင့်မားသောဗို့အား
3 လျှောက်လွှာများ
| VBR |
VF(တစ်ခုတည်း)(MAX) |
IF(AV)(တစ်ခုတည်း) |
| 200V |
1.0V |
30A |