ရရှိနိုင်မှု - | |
---|---|
အရေအတွက်: | |
Mur30FU60DCT
wxdh
အစာရှောင်ခြင်းပြန်လည်နာလန်ထူ diode 600v
1 ဖော်ပြချက်
30a, 600V ultrafast diodes တွင်သူတို့တွင်ရှေ့သို့ဗို့အားကျဆင်းခြင်းနှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, explanted, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့် RectifiFifiies တို့အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ဆည်းပေးသည့်ပါဝါခလုတ်များနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်များအဆိုများတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့နှင့်အတူ Ultrafast Recovery တို့ကပါဝါ switching circuit များတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျော့နည်းစေသည်
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအင်နိမ့်ကျခြင်း,
မြင့်မားသော forward sourception ဗို့အား,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
စူပါမြန်နှုန်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
မြင့်ဗို့လုပ်ငန်း
3
ပါဝါထောက်ပံ့ရေး switching
ပါဝါ switching circuits
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
600VV | 1.65v | 15a |
အစာရှောင်ခြင်းပြန်လည်နာလန်ထူ diode 600v
1 ဖော်ပြချက်
30a, 600V ultrafast diodes တွင်သူတို့တွင်ရှေ့သို့ဗို့အားကျဆင်းခြင်းနှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, explanted, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့် RectifiFifiies တို့အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ဆည်းပေးသည့်ပါဝါခလုတ်များနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်များအဆိုများတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့နှင့်အတူ Ultrafast Recovery တို့ကပါဝါ switching circuit များတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျော့နည်းစေသည်
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအင်နိမ့်ကျခြင်း,
မြင့်မားသော forward sourception ဗို့အား,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
စူပါမြန်နှုန်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
မြင့်ဗို့လုပ်ငန်း
3
ပါဝါထောက်ပံ့ရေး switching
ပါဝါ switching circuits
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
600VV | 1.65v | 15a |