ဂိတ်
Jiangsu Donghai Semiconductor Co. , Ltd
သင်ဒီမှာပါ 0 င်နေပါတယ်: နေအိမ် » ထုတ်ကုန်များ » မောရှေ » 8A 500V N-channel 400V-1500V N MOS ကို တိုးမြှင့်ခြင်း Mode Power Mosfet B8n50 မှ 251

တင်ဆောင်

မျှဝေပါ:
Facebook Sharing Button
Twitter Sharing Button
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
WeChat Sharing Button
LinkedIn Sharing Button
Pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
WhatsApp Sharing Button
Sharethis sharing ခလုပ်

8A 500V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mode Mosfet B8n50 မှ 251 မှ 251

8A 500V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mode Mosfet
ရရှိမှု -
အရေအတွက်:
  • B8n50

  • wxdh

  • to-251

  • 500v

  • 8a

8A 500V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Mosfet


1 ဖော်ပြချက်

ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။ 


အင်္ဂါရပ် 2 ခု 

●မြန်ဆန်စွာ switching 

● ESD တိုးတက်လာသောစွမ်းရည်

●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤0.9ω) 

●ဂိတ်အနိမ့်အနိမ့် (24nc) 

●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 7PF) 

● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု


3

● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။ ●အီလက်ထရွန်လှေနှင့် adapter ၏ power switch condit ။

VDSS  RDS (အပေါ်) သတ် 
500v 0.72ω 8a



ယခင်: 
နောက်တစ်ခု: 
  • ကျွန်တော်တို့ရဲ့သတင်းလွှာအတွက်စာရင်းသွင်းပါ
  • အနာဂတ်အတွက်အဆင်သင့်ပြင်ဆင်ပါ
    သင်၏ Inbox သို့မွမ်းမံရန်ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်